[发明专利]一种PERC晶硅太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明公开了一种PERC晶硅太阳能电池及其制备方法，涉及PERC晶硅太阳能电池技术领域，制备方法，包括以下步骤；S1：在硅基体正面形成第一氧化硅膜层；S2：在硅基体正面第一氧化硅膜层表面形成SiC：H膜层；其中，形成SiC：H膜层为通入反应气体SiH4、CH4进行沉积，通入时间为10～30秒，反应气体SiH4和CH4的通入流量比为1：(2～10)，本发明在硅基体正面和背面分别采用SiC：H膜层加氮化硅或氮氧化硅膜层替代传统氮化硅组合膜层以及氧化铝叠加氮化硅膜层，通过在形成SiC：H膜层时调节通入的CH4比例，以实现对C含量进行调整，C含量越高导电性越好，以实现对SiC：H膜层导电性以及不同波长透光率进行调整。

技术领域

本发明涉及PERC晶硅太阳能电池技术领域，具体为一种 PERC晶硅太阳能电池及其制备方法。

背景技术

公知的，单晶硅PERC太阳能电池转换效率高，相对成本低，为目前太阳能电池的主流技术，然而随着PERC技术的发展当前效率提升遇到了瓶颈，下代技术topcon，异质结等技术工艺技术尚未在生产中完大规模应用，因此寻找新的途径提升PERC电池的光电转化效率，延长PERC产线设备生命及PERC电池生命周期，成为当下重要的一个问题。

如申请公布号为CN112768534A，申请公布日为2021年05月07 日，名称为《一种氧化硅钝化PERC双面电池及其制备方法》的发明专利，其氧化硅钝化PERC双面电池具体结构包括硅衬底、设置在所述硅衬底正面的正面介电层、设置在所述硅衬底背面的第一介电层和设置在所述第一介电层上的第二介电层；所述的正面介电层包括二氧化硅层和氮化硅膜层；所述的第一介电层为氧化硅层或氮氧化硅膜层；所述的第二介电层包括至少一层氮化硅膜层；所述的第一介电层的厚度为10-100nm；所述的第二介电层的厚度为60-180nm。

现单晶PERC电池正面一般采用氮化硅或氮氧化硅组合膜层进行钝化和形成减反射膜，为了获得好的钝化效果和减反效果，采用底层膜高折射率(富硅膜)，氮化硅膜随着含硅量的增加其吸光系数增大，透光率变差尤其在短波段吸光发热，影响光伏效应的产生。背面一般采用氧化铝叠加氮化硅膜层钝化也有部分采用氮氧化硅，虽应用中氧化铝的固定负电荷及成膜过程中H含量，对P型电池背面有良好的表面钝化和场钝化效应，然而，氧化铝的负电性要靠四面体晶体实现，对工艺和退火条件要求比较高，同时氧化铝的导电性差，常规浆料无法烧穿等，需要背激光开槽或特殊浆料，其一方面会增大电池的串阻。另一方面激光开槽光斑损伤也会增加背面复合。

发明内容

本发明的目的是提供一种PERC晶硅太阳能电池及其制备方法，以解决现有技术中的上述不足之处。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种PERC晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤；

S1：在硅基体正面形成第一氧化硅膜层；

S2：在硅基体正面第一氧化硅膜层表面形成SiC：H膜层；

其中，形成SiC：H膜层为通入反应气体SiH4、CH4进行沉积，通入时间为10～30秒，反应气体SiH4和CH4的通入流量比为1：(2～10)。

作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤S2为，，所述步骤S2为，通入反应气体SiH4、CH4、PH3以沉积掺磷SiC：H膜层，通入时间为10～30秒，反应气体SiH4、CH4、PH3的通入流量比为1：(2～10)：(0.5～3)。

作为上述技术方案的进一步描述：沉积SiC：H膜层的反应温度为350℃—500℃。

作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤S2之后还包括：在掺磷SiC：H膜层表面沉积形成第一介电保护层。

作为上述技术方案的进一步描述：当所述第一介电保护层为氮化硅膜层时，通入反应气体SiH4和NH3进行沉积，反应气体 SiH4和NH3流量比为1：(6～12)，反应温度为470～520℃。