[发明专利]一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法

权利要求书

1.一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法，其特征在于，TFT沟道缺陷态密度包括TFT沟道界面缺陷态密度，该方法包括：

S1：获取TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线；

S2：根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线，确定TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围；

S3：根据TFT各转移特性曲线在TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围内的漏源电流值、漏源电压值和栅源电压值，得到TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷电容；

S4：根据TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷电容，得到TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷态密度；

S5：根据TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷态密度，以及预先获取的TFT栅源电压和表面势之间的对应关系，得到TFT在不同表面势下的沟道界面缺陷态密度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线，确定TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围包括：

S21：根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线，确定TFT的阈值电压值；

S22：根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线，确定TFT的平带电压值；

S23：确定TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围从所述平带电压值到所述阈值电压值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据TFT各转移特性曲线在TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围内的漏源电流值、漏源电压值和栅源电压值，得到TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷电容包括：

S31：根据TFT各转移特性曲线在TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围内的漏源电流值、漏源电压值和栅源电压值，得到TFT在不同栅源电压下的第一参数；

S32：设定TFT在预设漏源电压下的转移特性曲线为标记转移特性曲线，根据TFT标记转移特性曲线在TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围内的漏源电流值和栅源电压值，得到TFT在不同栅源电压下的第二参数；

S33：根据TFT在不同栅源电压下的第一参数和第二参数，得到TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷电容。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据TFT各转移特性曲线在TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围内的漏源电流值、漏源电压值和栅源电压值，得到TFT在不同栅源电压下的第一参数包括：

S311：将TFT各转移特性曲线中绝对值最大的漏源电压所对应的转移特性曲线，在TFT工作在亚阈值区对应的各栅源电压下的漏源电流值设为第一电流值，并将TFT各转移特性曲线中除绝对值最大的漏源电压以外的其他各漏源电压所对应的转移特性曲线，在TFT工作在亚阈值区对应的各栅源电压下的漏源电流值设为第二电流值；

S312：根据TFT工作在亚阈值区对应的各栅源电压下，TFT的第一电流值和TFT在不同漏源电压下的第二电流值，得到TFT工作在亚阈值区对应的各栅源电压下，不同漏源电压对应的第一子参数；

S313：根据TFT工作在亚阈值区对应的各栅源电压下，不同漏源电压对应的第一子参数，得到TFT工作在亚阈值区对应的各栅源电压下，第一子参数对应漏源电压的散点图；

S314：对所述第一子参数对应漏源电压的散点图中的线性部分进行线性拟合，得到TFT工作在亚阈值区对应的各栅源电压下，第一子参数对应漏源电压的直线拟合斜率；

S315：根据TFT工作在亚阈值区对应的各栅源电压下，第一子参数对应漏源电压的直线拟合斜率，得到TFT在不同栅源电压下的第一参数。