[发明专利]一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法

说明书

本申请实施例公开了一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法，该方法只需根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线即可提取到TFT的沟道缺陷态密度，其中，TFT的沟道缺陷态密度包括TFT的沟道界面缺陷态密度，与现有技术通常根据TFT的C‑V特性曲线来提取TFT的沟道缺陷态密度的方法相比，该方法更加简单快速，且该方法可以根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线直接提取到TFT的沟道界面缺陷态密度，以便于后续区分TFT的沟道界面缺陷态密度和沟道内部缺陷态密度，从而定位TFT的沟道缺陷分布，进而分析沟道材料、工艺等对TFT性能的影响，这对TFT在实际生产过程中工艺的改进以及产品性能的检测指导性更强。

技术领域

本申请涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法。

背景技术

场效应薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)在各个领域的应用非常广泛，尤其是在显示屏领域，无论是电视屏、手机屏还是手表屏，也无论是液晶屏还是有机发光二极管(OLED)显示屏，还无论是低温多晶硅(LTPS)基底的显示屏还是氧化铟镓锌(IGZO)基底的显示屏，TFT都是它们的基本结构，显示屏的每个像素点都由其对应的TFT对其进行开关和驱动。

随着显示屏的分辨率越来越高，相同面积的显示屏所包含的像素点越来越多，即对应TFT的数量越来越多，因此单个TFT的尺寸也越来越小。并且，随着对显示屏色彩的控制越来越精准，要求控制各像素点的TFT性能越来越稳定。在TFT尺寸越来越小的情况下，影响TFT性能的主要因素是其沟道的缺陷。因此，在TFT的生产过程中，需要提取TFT的沟道缺陷态密度，以检测TFT性能的好坏，并根据TFT的沟道缺陷态密度，定位TFT的沟道缺陷分布，从而分析沟道材料、工艺等对TFT性能的影响。如何提取TFT的沟道缺陷态密度，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种提取TFT沟道缺陷态密度的方法，以检测TFT性能的好坏，并根据TFT的沟道缺陷态密度，定位TFT的沟道缺陷分布，以便于分析沟道材料、工艺等对TFT性能的影响。

为实现上述目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法，TFT沟道缺陷态密度包括TFT沟道界面缺陷态密度，该方法包括：

S1：获取TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线；

S2：根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线，确定TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围；

S3：根据TFT各转移特性曲线在TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围内的漏源电流值、漏源电压值和栅源电压值，得到TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷电容；

S4：根据TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷电容，得到TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷态密度；

S5：根据TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷态密度，以及预先获取的TFT栅源电压和表面势之间的对应关系，得到TFT在不同表面势下的沟道界面缺陷态密度。

可选的，根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线，确定TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围包括：

S21：根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线，确定TFT的阈值电压值；

S22：根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线，确定TFT的平带电压值；

S23：确定TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围从所述平带电压值到所述阈值电压值。

可选的，根据TFT各转移特性曲线在TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围内的漏源电流值、漏源电压值和栅源电压值，得到TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷电容包括：