[发明专利]阵列基板和显示面板在审
申请号: | 202110938693.9 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113690254A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 房耸;井晓静 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1333 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括多个呈矩阵排布的像素(12),各所述像素(12)包括第一子像素(121)和第二子像素(122),所述第一子像素(121)包括第一晶体管(1211)和第一像素电极(1212),所述第一晶体管(1211)与所述第一像素电极(1212)连接,所述第二子像素(122)包括第二晶体管(1221)和第二像素电极(1222),所述第二晶体管(1221)与所述第二像素电极(1222)连接,所述阵列基板包括基板(11)以及设置在所述基板(11)上的多条第一数据线(13)和多条第二数据线(14);
多个所述像素(12)的奇数行中,位于奇数位的各所述像素(12)的所述第一晶体管(1211)和所述第二晶体管(1221)分别与所述第一数据线(13)电性连接;偶数位的各所述像素(12)的所述第一晶体管(1211)和所述第二晶体管(1221)分别与所述第二数据线(14)电性连接;
多个所述像素(12)的偶数行中,位于奇数位的各所述像素(12)的所述第一晶体管(1211)和所述第二晶体管(1221)分别与所述第二数据线(14)电性连接;偶数位的各所述像素(12)的所述第一晶体管(1211)和所述第二晶体管(1221)分别与所述第一数据线(13)电性连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多条触控信号线(15),各所述触控信号线(15)分别位于相邻的所述第一数据线(13)与所述第二数据线(14)之间。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述触控信号线(15)从相邻两所述像素(12)之间走线。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述触控信号线(15)与所述第一数据线(13)、所述第二数据线(14)同层设置。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括公共电极(18),所述公共电极(18)与所述第一像素电极(1212)、所述第二像素电极(1222)上下间隔设置。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极(1212)与所述第一晶体管(1211)的源极(1211a)和漏极(1211b)同层设置;所述第二像素电极(1222)与所述第二晶体管(1221)的源极(1211a)和漏极(1211b)同层设置。
7.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括覆盖所述第一晶体管(1211)和所述第二晶体管(1221)的第一绝缘层(19)以及覆盖所述第一绝缘层(19)的第二绝缘层(21),所述公共电极(18)设置在所述第一绝缘层(19)上,所述第一像素电极(1212)和所述第二像素电极(1222)设置在所述第二绝缘层(21)上。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括接触孔(101),所述接触孔(101)贯穿所述第一绝缘层(19)与所述第二绝缘层(21),所述第一像素电极(1212)、所述第二像素电极(1222)分别通过所述接触孔(101)与所述第一晶体管(1211)、所述第二晶体管(1221)电性连接。
9.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,奇数行中各所述像素与相邻的偶数行中的各所述像素(12)之间具有走线区(11a),所述第一数据线(13)、所述第二数据线(14)和所述触控信号线(15)均从所述走线区(11a)经过,所述公共电极(18)对应所述走线区(11a)的区域设置有凹槽。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-9任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的