[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
申请号: | 202110950534.0 | 申请日: | 2021-08-18 |
公开(公告)号: | CN113675098A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 邢程;董信国 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:
提供第一衬底,所述第一衬底具有相对的第一面和第二面;
在第一衬底的第一面上形成第一介质层,所述第一介质层内具有第一开口;
在所述第一开口内形成第一导电层,所述第一导电层表面低于所述第一介质层顶部表面;
在所述第一导电层表面形成第二导电层,所述第二导电层表面的(1,1,1)晶相占比大于所述第一导电层表面的(1,1,1)晶相占比;
提供第二衬底,所述第二衬底具有相对的第三面和第四面,所述第三面上形成有第二介质层,所述第二介质层内具有导电结构,所述第二介质层表面暴露出所述导电结构;
将所述第一衬底的第一面朝向所述第二衬底的第三面进行键合,使所述第一介质层和第二介质层相固定,所述第二导电层表面和所述导电结构表面相固定。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一开口的深宽比比值大于1:1。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一导电层的材料包括铜;所述第二导电层的材料包括铜;所述导电结构的材料包括铜。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一导电层的形成工艺为化学电镀工艺;所述第二导电层的形成工艺为化学电镀工艺。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述第一导电层的化学电镀工艺中,使用的电镀液包括硫酸铜溶液和添加剂;形成所述第二导电层的化学电镀工艺中,使用的电镀液为硫酸铜溶液。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二介质层内形成有第二开口,所述第二开口的深宽比比值大于1:1。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述导电结构包括第三导电层以及位于第三导电层上的第四导电层;所述第四导电层表面的(1,1,1)晶相占比大于所述第三导电层表面的(1,1,1)晶相占比。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第三导电层和第四导电层的形成步骤包括:在所述第二介质层内形成所述第三导电层,所述第三导电层低于所述第二介质层顶部表面;在所述第三导电层表面形成第四导电层。
9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第三导电层的形成工艺为化学电镀工艺;所述第四导电层的形成工艺为化学电镀工艺。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述第三导电层的化学电镀工艺中,使用的电镀液包括硫酸铜溶液和添加剂;形成所述第四导电层的化学电镀工艺中,使用的电镀液为硫酸铜溶液。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二导电层的厚度为0.6微米~1微米。
12.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第四导电层的厚度为0.6微米~1微米。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一导电层表面的(1,1,1)晶相占比为10%~50%;所述第二导电层表面的(1,1,1)晶相占比为80%~90%。
14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二导电层的金属纯度高于第一导电层。
15.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第三导电层表面的(1,1,1)晶相占比为10%~50%;所述第四导电层表面的(1,1,1)晶相占比为80%~90%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯盟科技有限公司,未经芯盟科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110950534.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:线程栈空间调整方法及相关装置
- 下一篇:一种汽车电梯的转向结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造