[发明专利]半导体结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202110950534.0 申请日: 2021-08-18
公开(公告)号: CN113675098A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 邢程;董信国 申请(专利权)人: 芯盟科技有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣
地址: 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:

提供第一衬底,所述第一衬底具有相对的第一面和第二面;

在第一衬底的第一面上形成第一介质层,所述第一介质层内具有第一开口;

在所述第一开口内形成第一导电层,所述第一导电层表面低于所述第一介质层顶部表面;

在所述第一导电层表面形成第二导电层,所述第二导电层表面的(1,1,1)晶相占比大于所述第一导电层表面的(1,1,1)晶相占比;

提供第二衬底,所述第二衬底具有相对的第三面和第四面,所述第三面上形成有第二介质层,所述第二介质层内具有导电结构,所述第二介质层表面暴露出所述导电结构;

将所述第一衬底的第一面朝向所述第二衬底的第三面进行键合,使所述第一介质层和第二介质层相固定,所述第二导电层表面和所述导电结构表面相固定。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一开口的深宽比比值大于1:1。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一导电层的材料包括铜;所述第二导电层的材料包括铜;所述导电结构的材料包括铜。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一导电层的形成工艺为化学电镀工艺;所述第二导电层的形成工艺为化学电镀工艺。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述第一导电层的化学电镀工艺中,使用的电镀液包括硫酸铜溶液和添加剂;形成所述第二导电层的化学电镀工艺中,使用的电镀液为硫酸铜溶液。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二介质层内形成有第二开口,所述第二开口的深宽比比值大于1:1。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述导电结构包括第三导电层以及位于第三导电层上的第四导电层;所述第四导电层表面的(1,1,1)晶相占比大于所述第三导电层表面的(1,1,1)晶相占比。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第三导电层和第四导电层的形成步骤包括:在所述第二介质层内形成所述第三导电层,所述第三导电层低于所述第二介质层顶部表面;在所述第三导电层表面形成第四导电层。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第三导电层的形成工艺为化学电镀工艺;所述第四导电层的形成工艺为化学电镀工艺。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述第三导电层的化学电镀工艺中,使用的电镀液包括硫酸铜溶液和添加剂;形成所述第四导电层的化学电镀工艺中,使用的电镀液为硫酸铜溶液。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二导电层的厚度为0.6微米~1微米。

12.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第四导电层的厚度为0.6微米~1微米。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一导电层表面的(1,1,1)晶相占比为10%~50%;所述第二导电层表面的(1,1,1)晶相占比为80%~90%。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二导电层的金属纯度高于第一导电层。

15.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第三导电层表面的(1,1,1)晶相占比为10%~50%;所述第四导电层表面的(1,1,1)晶相占比为80%~90%。

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