[发明专利]一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述肖特基势垒二极管包括N型半导体衬底，所述N型半导体衬底的背面设置有欧姆接触层，所述N型半导体衬底的正面设置开设有肖特基窗口的钝化层，所述肖特基窗口处设置有金属场板终端，所述金属场板终端包括在所述N型半导体衬底的表面从下至上依次层叠的MoN合金膜、Mo金属层和Al金属层。

2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述MoN合金膜中N金属的质量百分含量为30-40％。

3.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述MoN合金膜的厚度为5-15nm。

4.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述钝化层的厚度大于所述MoN合金膜和所述Mo金属层的总厚度、小于所述金属场板终端的总厚度，所述MoN合金膜覆盖所述N型半导体衬底的表面在所述肖特基窗口处外露的区域，所述Mo金属层覆盖在所述MoN合金膜的表面，所述Al金属层覆盖所述Mo金属层的表面以及所述肖特基窗口周围的部分区域的所述钝化层的表面。

5.根据权利要求4所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述钝化层的厚度为250nm，所述Mo金属层的厚度为150nm，所述Al金属层的厚度为300nm。

6.一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管的制作方法，用于制备形成如权利要求1-5任一所述的基于MoN合金的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述方法包括：

制备得到正面设置有钝化层、背面设置有欧姆接触层的N型半导体衬底；

刻蚀所述钝化层至所述N型半导体衬底的表面形成肖特基窗口；

在所述肖特基窗口处依次溅射沉积形成MoN合金膜、Mo金属层和Al金属层制作得到金属场板终端；

进行退火处理，制作得到基于MoN合金的肖特基势垒二极管。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成MoN合金膜的方法包括：

以Mo金属为靶材，在氮气和氩气的混合气体氛围下以反应溅射的方式制作，Mo金属在沉积过程中与氮气反应形成所述MoN合金膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述MoN合金膜的过程中，所使用的氮气和氩气的混合气体中氮气的百分含量为40-60％。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述制作得到金属场板终端，包括：

在所述肖特基窗口内溅射沉积形成覆盖所述N型半导体衬底的表面的MoN合金膜；

溅射沉积形成覆盖所述MoN合金膜的表面的Mo金属层；

溅射沉积形成覆盖所述Mo金属层以及所述肖特基窗口周围的部分区域的钝化层表面的Al金属层。