[发明专利]一种吸料装置、单晶炉吸料设备及单晶炉吸料方法

权利要求书

1.一种吸料装置，其特征在于，应用于单晶炉，所述吸料装置包括：

容置组件，所述容置组件具有密闭的容纳腔；

吸管组件，连接于所述容置组件，所述吸管组件具有相对的第一端部和第二端部，所述第一端部位于所述容纳腔内并与所述容纳腔连通，所述吸管组件的第二端部位于所述容纳腔外，所述吸管组件还具有连通所述第一端部与所述第二端部的吸取通道，所述吸取通道将所述容纳腔与容置组件外部相连通。

2.根据权利要求1所述的吸料装置，其特征在于，所述容置组件包括：

容器，所述吸管组件连接于所述容器；

盖板，封盖于所述容器的敞口端，所述盖板与所述容器封闭形成所述容纳腔。

3.根据权利要求2所述的吸料装置，其特征在于，所述容器的内部至少部分设置有用于与所装的料接触的内衬，所述容纳腔至少部分由所述内衬定义而成。

4.根据权利要求3所述的吸料装置，其特征在于，所述内衬的外表面与所述容器的内表面之间的存在间隙，所述间隙的宽度为3mm～10mm。

5.根据权利要求3所述的吸料装置，其特征在于，所述容器的材质为石墨、碳碳和陶瓷中的任一种或多种组合；所述内衬的材质为石英陶瓷、蓝宝石、增韧陶瓷中的任一种或多种组合。

6.根据权利要求1所述的吸料装置，其特征在于，所述吸管组件包括内吸管、外吸管和连接套；所述内吸管和所述外吸管通过所述连接套连接，所述连接套套接于所述内吸管和所述外吸管相连接部位的外部，所述内吸管和所述外吸管的内部形成所述吸取通道。

7.根据权利要求6所述的吸料装置，其特征在于，所述内吸管位于所述容置组件中，所述内吸管的伸入所述容纳腔内的一端为第一端部，所述第一端部与所述容纳腔的底部之间具有预设高度，所述预设高度能够防止所吸料从所述内吸管的第一端部回流；

所述外吸管位于所述容置组件的外部，所述外吸管远离所述容置组件的一端为所述第二端部；

所述内吸管、所述外吸管和所述连接套中的任一个或多个与所述容置组件连接。

8.根据权利要求7所述的吸料装置，其特征在于，所述连接套位于所述容纳腔中，所述连接套的外径大于所述容置组件的用于伸出所述外吸管的通孔的直径。

9.根据权利要求7所述的吸料装置，其特征在于，所述连接套与所述内吸管之间通过陶瓷粘接剂烧结或石英浆体浇筑固定；所述连接套与所述外吸管之间通过陶瓷粘结剂烧结或石英浆体浇筑固定。

10.根据权利要求6所述的吸料装置，其特征在于，所述内吸管和所述外吸管的材质为硅、蓝宝石、碳化硅、石英玻璃、石英陶瓷中的任一种或多种组合，所述内吸管和所述外吸管的材质相同或不同。

11.一种单晶炉吸料设备，其特征在于，包括炉壳体、坩埚和如权利要求1-10任一项所述的吸料装置，所述坩埚位于所述炉壳体内，所述坩埚中容置有硅料，所述吸料装置的吸管组件的第二端部浸入所述坩埚内的硅料中。

12.一种单晶炉吸料方法，其特征在于，应用权利要求1-10任一项所述的吸料装置，包括步骤：

将所述吸料装置放入单晶炉中，使所述吸料装置的吸管组件的第二端部浸入所述单晶炉内的硅料中；

调节所述单晶炉中的压力，使所述单晶炉中的压力大于所述吸料装置的容纳腔中的压力，利用压差将所述单晶炉中的硅料压入所述容纳腔中。

13.根据权利要求12所述的单晶炉吸料方法，其特征在于，在所述将吸料装置放入单晶炉中之后，且在使所述吸料装置的吸管组件的第二端部浸入所述单晶炉内的硅料中之前，还包括步骤：通过一次或多次地向所述单晶炉的副室内充入保护气体再抽出，对所述单晶炉进行净化。