[发明专利]一种浪涌防护芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种浪涌防护芯片，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

形成在所述衬底的上表面的第二导电类型的第一外延层；

形成在所述第一外延层上的第二导电类型的第一注入区；

形成在所述第一注入区上的第一导电类型的第二注入区；

形成在所述第二注入区上的第一导电类型的第二外延层；

自所述第二外延层延伸至所述第一外延层内并间隔排列的第一沟槽；所述第一沟槽内填充氧化硅；

位于所述第一沟槽之间并与所述第一沟槽的侧壁连接的第二沟槽，所述第二沟槽内填充第二导电类型的第三外延层；

形成在所述第二沟槽内的第一导电类型的第三注入区、形成在所述第二外延层内的第一导电类型的第四注入区，所述第三注入区关于所述第四注入区对称排列；

形成在所述第二外延层、所述第一沟槽、所述第二沟槽上的介质层，形成在所述介质层上并对应设置在所述第三注入区上的第一接触孔、所述第四注入区上的第二接触孔，形成在所述介质层上并填充所述第一接触孔、所述第二接触孔的第一金属层，以及形成在所述衬底的下表面的第二金属层。

2.根据权利要求1所述的浪涌防护芯片，其特征在于，所述第三外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度，所述第三注入区、所述第四注入区的离子浓度大于所述第二注入区的离子浓度。

3.根据权利要求1所述的浪涌防护芯片，其特征在于，所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度，所述第一沟槽垂直于所述衬底的投影面积大于所述第二沟槽垂直于所述衬底的投影面积。

4.根据权利要求1所述的浪涌防护芯片，其特征在于，所述第四注入区垂直于所述衬底的投影面积大于所述第三注入区垂直于所述衬底的投影面积。

5.一种浪涌防护芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底的上表面形成第二导电类型的第一外延层；

在所述第一外延层上的第二导电类型的第一注入区，在所述第一注入区上形成第一导电类型的第二注入区，以及在所述第二注入区上形成第一导电类型的第二外延层；

自所述第二外延层延伸至所述第一外延层内并间隔排列的第一沟槽，在所述第一沟槽内填充氧化硅，刻蚀形成位于所述第一沟槽之间并与所述第一沟槽的侧壁连接的第二沟槽，所述第二沟槽内填充第二导电类型的第三外延层；

在所述第二沟槽内形成第一导电类型的第三注入区、所述第二外延层内的第一导电类型的第四注入区，所述第三注入区关于所述第四注入区对称排列；

在所述第二外延层、所述第一沟槽、所述第二沟槽上形成介质层，在所述介质层上形成对称设置在所述第三注入区上的第一接触孔、所述第四注入区上的第二接触孔，在所述介质层上形成填充所述第一接触孔、所述第二接触孔的第一金属层，以及在所述衬底的下表面形成第二金属层。

6.根据权利要求5所述的浪涌防护芯片的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀形成所述第一沟槽和所述第二沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。

7.根据权利要求5所述的浪涌防护芯片的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽垂直于所述衬底的投影面积大于所述第二沟槽垂直于所述衬底的投影面积。

8.根据权利要求5所述的浪涌防护芯片的制备方法，其特征在于，所述第三外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度，所述第三注入区、所述第四注入区的离子浓度大于所述第二注入区的离子浓度。

9.根据权利要求5所述的浪涌防护芯片的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，所述第三外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度，所述第三注入区、所述第四注入区的离子浓度大于所述第二注入区的离子浓度。