[发明专利]一种防浪涌冲击电流的抑制电路在审
| 申请号： | 202110961444.1 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN115912299A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 潘红泉;魏瑞丹;张健;马英凯;田宇凡 | 申请（专利权）人： | 深圳市振华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 | 代理人： | 罗华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌 冲击 电流 抑制 电路 | ||
1.一种防浪涌冲击电流的抑制电路，其特征在于，包括输入输出正公共端V+、负输入端GND、负输出端V-、功率MOS管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R3、电阻R4、电容C2、电容C3；其中，电阻R1一端接正输入端V+，电阻R2一端接负输入端GND，电阻R1与电阻R2的公共端接功率MOS管Q1的栅极和电容C2，电容C2的另一端接负输入端GND；功率MOS管Q1的源极与负输入端GND连接，功率MOS管Q1的漏极与负输出端V-连接；电阻R5一端接功率MOS管Q1的源极，另一端接功率MOS管Q1的漏极；电阻R3一端与三极管Q2的基极连接，另一端接MOS管Q1的源极；电阻R4的一端通过二极管D1与三极管Q2的基极连接，另一端接MOS管Q1的漏极；三极管Q2的集电极与MOS管Q1的栅极连接，三极管Q2的发射极与负输入端GND连接。
2.根据权利要求1所述的防浪涌冲击电流的抑制电路，其特征在于，还包括电容C1，电容C1一端接输入输出正公共端V+，另一端接负输出端V-。
3.根据权利要求1所述的防浪涌冲击电流的抑制电路，其特征在于，还包括二极管D1、与二极管D1串联的电阻R4，二极管D1和电阻R4接在三极管Q2的基极与MOS管Q1漏极之间。
4.根据权利要求1所述的防浪涌冲击电流的抑制电路，其特征在于，还包括稳压二极管D2，稳压二极管D2一端接电阻R2，另一端与负输入端GND连接。
5.根据权利要求1所述的防浪涌冲击电流的抑制电路，其特征在于，还包括电容C3，电容C3一端接三极管Q2的基极，另一端与负输入端GND连接。
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