[发明专利]一种包含融合电阻的结终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种包含融合电阻的结终端结构，其特征在于，包括衬底层（1）、主结环（2）和融合电阻环（4），

主结环（2）和融合电阻环（4）均内嵌在衬底层（1）表层中，融合电阻环（4）与主结环（2）相邻，主结环（2）和融合电阻环（4）呈跑道状从内向外依次排列；

退火推结工艺前主结环（2）和融合电阻环（4）之间有一定距离不接触，退火推结工艺后主结环（2）和融合电阻环（4）向四周扩散并相互接触。

2.根据权利要求1的一种包含融合电阻的结终端结构，其特征在于，

包括若干个第一型场氧化环（5）、介质层（7）、若干个第一金属环（8）和第二金属环（9），

第一型场氧化环（5）覆盖在退火推结工艺之前主结环（2）和融合电阻环（4）之间的衬底层（1）上；退火推结工艺之后，主结环（2）和融合电阻环（4）向四周扩散相互接触，第一型场氧化环（5）覆盖在主结环（2）、融合电阻环（4）和衬底层（1）上表面；

每一个融合电阻环（4）只与一个第一金属环（8）相接触，融合电阻环（4）上端均固定连接一个第一金属环（8），且每个第一金属环（8）的外侧均爬上了与该融合电阻环（4）相邻且位于该融合电阻环（4）外侧的第一场氧化环（5）上方；

第一金属环（8）与融合电阻环（4）之间和第一金属环（8）与第一场氧化环（5）之间均固定设置有介质层（7），第一金属环（8）与融合电阻环（4）之间的介质层（7）开设接触孔一；

第二金属环（9）固定设置在主结环（2）表面，第二金属环（9）和主结环（2）之间固定设置有介质层（7），第二金属环（9）和主结环（2）之间的介质层（7）上开设接触孔二。

3.根据权利要求2的一种包含融合电阻的结终端结构，其特征在于，

包括N个场限环（3），N个场限环（3）均内嵌在衬底层（1）表层中，其中N1，融合电阻环（4）位于主结环（2）和场限环（3）之间，主结环（2）、融合电阻环（4）和N个场限环（3）呈跑道状从内向外依次排列，

每一个场限环（3）上端均固定连接一个第一金属环（8），每一个场限环（3）只与一个第一金属环（8）接触；

场限环（3）和融合电阻环（4）之间有一定距离，第一型场氧化环（5）覆盖在退火推结工艺之前场限环（3）和融合电阻环（4）之间的衬底层（1）上表面；退火推结工艺之后，场限环（3）向四周扩散，场限环（3）有一部分扩散至第一型场氧化环（5）正下方的衬底层中，场限环（3）和融合电阻环（4）之间仍有距离且不接触；

第一金属环（8）与场限环（3）之间固定设置有介质层（7），第一金属环（8）与场限环（3）之间的介质层（7）开设接触孔三；

进行退火推结工艺后，主结环（2）向左右两边扩散的距离为L1，场限环（3）向左右两边扩散的距离为L2，融合电阻环（4）与主结环（2）之间的距离为D，D＜(L1+L2)。

4.根据权利要求3的一种包含融合电阻的结终端结构，其特征在于，

淀积并刻蚀后第一金属环（8）通过接触孔一与融合电阻环（4）接触，或者接触孔一中设置导体；

淀积并刻蚀后第二金属环（9）通过接触孔二与主结环（2）接触，或者接触孔二中设置导体；

淀积并刻蚀第一金属环（8）通过接触孔三与场限环（3）接触，或者接触孔三中设置导体。

5.根据权利要求2的一种包含融合电阻的结终端结构，其特征在于，

包括第二型场氧化环（6），第二型场氧化环（6）固定设置在主结环（2）上表面，第二型场氧化环（6）外边缘不超过主结环（2）外边缘，第二金属环（9）与第二场氧化环（6）相邻。

6.根据权利要求5的一种包含融合电阻的结终端结构，其特征在于，

包括栅极金属环（10），栅极金属环（10）位于第二型场氧化环（6）上方，栅极金属环（10）和第二型场氧化环（6）之间固定设置有介质层（7），栅极金属环（10）与栅电极连接。