[发明专利]驱动电路、存储设备及驱动电路控制方法

权利要求书

1.一种驱动电路，其特征在于，包括：

第一驱动电路，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端连接，所述第一晶体管的第二端连接所述第二晶体管的第一端，并作为所述驱动电路的输出端；

第二驱动电路，具有供电端和输出端，所述输出端与所述第一晶体管的控制端连接；

电源切换电路，其第一端连接所述信号生成电路的供电端，其第二端连接第一电源，其第三端连接第二电源，用于在控制信号控制下，将所述第二驱动电路的供电端连接至所述第一电源和所述第二电源中的一个；其中，所述第一电源大于所述第二电源。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述电源切换电路包括：第一可控电路和第二可控电路；

所述控制信号与所述第一可控电路和所述第二可控电路的控制端连接，所述第一可控电路连接在所述第一电源和所述供电端之间，所述第二可控电路连接在所述第二电源和所述供电端之间。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第一可控电路包括第一开关元件；所述第二可控电路包括反相器和第二开关元件；其中，所述第一开关元件和所述第二开关元件的类型相同；

所述第一开关元件的控制端与所述控制信号连接，所述第一开关元件连接在所述第一电源和所述供电端之间；所述反相器的输入端与所述控制信号连接，所述反相器的输出端与所述第二开关元件的控制端连接；所述第二开关元件连接在所述第二电源和所述供电端之间。

4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述第一开关元件和所述第二开关元件为PMOS晶体管。

5.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第一可控电路包括第一开关元件；所述第二可控电路包括第二开关元件；其中，所述第一开关元件和所述第二开关元件的类型不同；

所述第一开关元件的控制端与所述控制信号连接，所述第一开关元件连接在所述第一电源和所述供电端之间；所述第二开关元件的控制端与所述控制信号连接，所述第二开关元件连接在所述第二电源和所述供电端之间。

6.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述第一开关元件为PMOS晶体管，所述第二开关元件为NMOS管；或者，所述第一开关元件为NMOS晶体管，所述第二开关元件为PMOS管。

7.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS晶体管。

8.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第二驱动电路包括：第三晶体管和第四晶体管；

所述第三晶体管的控制端和所述第四晶体管的控制端连接，并作为所述第二驱动电路的输入端；所述第三晶体管的第一端作为所述第二驱动电路的供电端；所述第三晶体管的第二端连接所述第四晶体管的第一端，并作为所述第二驱动电路的输出端；所述第四晶体管的第二端连至第一低电平。

9.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：供电电路；

所述供电电路的输出端与所述第一晶体管的第一端连接。

10.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述供电电路包括：第五晶体管和第六晶体管；

所述第五晶体管的控制端和所述第六晶体管的控制端连接；所述第五晶体管的第二端连接所述第六晶体管的第一端，并作为所述供电电路的输出端。

11.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述驱动电路响应于控制信号，处于准备模式或工作模式。

12.根据权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：下拉晶体管；

所述下拉晶体管的第一端连至所述驱动电路的输出端，所述下拉晶体管的第二端连接所述第二晶体管的第二端和第二低电平，所述第二低电平小于所述第一低电平。