[发明专利]超低电阻率导电浆料的填充高纯纳米材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110967283.7 申请日: 2021-08-23
公开(公告)号: CN113618075A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 孙珲 申请(专利权)人: 孙珲
主分类号: B22F9/22 分类号: B22F9/22;B22F1/00;B82Y40/00;B82Y30/00;C09D11/52;C09D5/24
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 张群;亓雨生
地址: 315000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电阻率 导电 浆料 填充 高纯 纳米 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种超低电阻率导电浆料的填充高纯纳米材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)将草酸加入硝酸铜与硝酸银的混合水溶液中,进行反应,反应完毕后,过滤,得到草酸铜与草酸银的混合物;

(2)将步骤(1)所得草酸铜与草酸银的混合物装入焙烧炉中,先通入氩气将焙烧炉中的空气排净,然后通入氩气与一氧化碳的混合气体,保持通氩气与一氧化碳的气氛下,加热焙烧炉,在250~400℃下进行反应;

反应过程为:

A、CuC2O4·2H2O=CuO+CO↑+CO2↑+2H2O↑;Ag2C2O4·2H2O=Ag2O+CO↑+CO2↑+2H2O↑;

B、2CuC2O4+2H2O=Cu2O+2CO↑+2CO2↑+2H2O↑;

C、CuO+2CO+1/2O2=Cu+2CO2↑;

D、Cu2O+CO=2Cu+CO2↑;Ag2O+CO=2Ag+CO2↑;

上述反应为链式反应,步骤A、B中生成的CO立即与CuO、Cu2O、Ag2O反应将其还原为铜单质、银单质,同时生成CO2,完成步骤C、D的反应;在该过程中,反应产生的CO、CO2形成气爆,将铜单质、银单质切割为纳米粉末;在银单质生成的瞬间,加强了气爆作用,从而将铜单质切割为粒度更小的纳米粉末;

步骤C中的O2来自不纯氩气中的微量氧;

(3)步骤(2)反应完毕后停止加热,继续通入氩气、一氧化碳的混合气体,直到炉温降到40℃以下,停止通入氩气、一氧化碳;取出所得纳米铜粉末,放入体积含量为1%草酸的乙醇溶液中,超声波震荡分散均匀,常温静置后过滤;得到的固体纳米铜粉在60℃真空恒温箱中烘干,恒温箱自然降温到40℃以下后,取出纳米铜粉,真空密封包装保存。

2.根据权利要求1所述的超低电阻率导电浆料的填充高纯纳米材料的制备方法,其特征在于:在步骤(1)中,硝酸银的加入重量为硝酸铜与硝酸银总量的0.001%~2%。

3.根据权利要求1所述的超低电阻率导电浆料的填充高纯纳米材料的制备方法,其特征在于:在步骤(1)中,反应完毕后,先用氨水调整反应液的pH值至1.16~4.16,再进行过滤。

4.根据权利要求1所述的超低电阻率导电浆料的填充高纯纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,通入氩气的纯度为99.6%~99.9%。

5.根据权利要求1所述的超低电阻率导电浆料的填充高纯纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,按照体积含量计,通入氩气90%~99.9%、通入一氧化碳0.1%~10%。

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