[发明专利]半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法

权利要求书

1.半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，首先对晶圆进行清洗，保证其表面洁净，然后采用低温化学气相沉积法在晶圆表面形成一层氧化隔离膜，膜厚在＞6000埃；再依次经光刻、沟槽蚀刻、电泳法玻璃钝化、金属化制得快恢复芯片。

2.根据权利要求1所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，晶圆清洗过程中依次采用酸洗、RCA1溶液清洗、纯水来对晶圆进行清洗。

3.根据权利要求2所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述酸洗过程中酸液采用体积比为18:1:1的HNO₃:HF:冰乙酸的混酸。

4.根据权利要求2所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述RCA1溶液清洗过程中采用标准RCA湿式化学清洗法1号液即水：双氧水：氨水的体积比= 5:1:1。

5.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述氧化隔离膜的形成是在LPCVD设备中完成的，通过LPCVD设备在上述清洗后得到的晶圆片上制备LTO薄膜，膜厚均匀性在10％以内。

6.根据权利要求5所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，LPCVD设备中，控制沉积的气体流量SIH₄ 110sccm、O₂ 150sccm，沉积压力SIH₄ 1.5-2.5bar O₂/N₂ 2-6bar，沉积温度600℃。

7.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述光刻是在光刻机中进行，将表面匀好光刻胶的晶圆放置在设备操作盘上，利用和光刻版软接触的方式，进行曝光,然后晶圆片浸入显影液中进行显定影。

8.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述沟槽蚀刻即将光刻后的晶圆放置在-7℃的酸液中，其中酸液采用HNO₃:HF:CH₃COOH:H₂SO₄的体积比=9:9:12:4的混酸，通过控制酸液的腐蚀时间500-700s来达到规格要求的槽深和槽宽，腐蚀后将晶圆表面的光刻胶通过硫酸和双氧水的混合溶液去除，抽水并甩干。

9.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述电泳法玻璃钝化为：将晶圆片放置在电泳液中，开启电泳机，通过控制玻璃粉的重量以及电泳时间使玻璃粉均匀饱满地附着在沟槽内，电泳完的晶圆通过钝化炉高温熔融形成晶体玻璃。

10.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述金属化是指在晶圆表面通过镀镍机电镀的方式在表面电镀一层镍金属。