[发明专利]光电子抑制电离源装置

权利要求书

1.一种光电子抑制电离源装置，其特征在于，包括紫外光源(1)、传输电极、出口电极(9)及绝缘挡光装置，其中传输电极和出口电极(9)的轴向开有通孔，出口电极(9)设置于传输电极的底部，紫外光源(1)设置于传输电极的顶部通孔处，传输电极用于离子传输，出口电极(9)用于真空差分；

绝缘挡光装置用于间隔传输电极和出口电极(9)及用于遮挡紫外光源(1)的紫外光对传输电极和出口电极(9)的辐照；

所述传输电极包括顶盖电极(3)、入口电极(5)和多极杆电极(7)，其中顶盖电极(3)设置于入口电极(5)的上方，多极杆电极(7)沿周向布设于入口电极(5)的下方，且轴线与所述传输电极的传输方向平行；

所述挡光装置包括顶盖电极挡光绝缘垫(2)、入口电极绝缘垫(4)、多极杆电极绝缘垫(6)及挡光管(8)，其中顶盖电极挡光绝缘垫(2)设置于紫外光源(1)和顶盖电极(3)之间，用于阻挡紫外光源(1)的紫外光对顶盖电极(3)的辐照；入口电极绝缘垫(4)设置于顶盖电极(3)和入口电极(5)之间，用于阻挡紫外光源(1)的紫外光对入口电极(5)的辐照；挡光管(8)设置于多极杆电极(7)的内侧，用于阻挡紫外光源(1)的紫外光对多极杆电极(7)的辐照。

2.根据权利要求1所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述顶盖电极挡光绝缘垫(2)、入口电极绝缘垫(4)和多极杆电极绝缘垫(6)均为环形结构，所述顶盖电极挡光绝缘垫(2)的内孔直径小于所述顶盖电极(3)上的通孔直径；所述入口电极绝缘垫(4)的内孔直径小于入口电极(5)上的通孔直径。

3.根据权利要求1所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述挡光管(8)设有底部通孔；所述挡光管(8)的底部通孔直径小于所述出口电极(9)上的通孔直径。

4.根据权利要求1所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述挡光管(8)的底部沿径向向外设有延伸部，所述延伸部位于所述多极杆电极(7)和所述出口电极(9)之间。

5.根据权利要求1所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述顶盖电极挡光绝缘垫(2)、入口电极绝缘垫(4)和多极杆电极绝缘垫(6)采用PEEK绝缘垫。

6.根据权利要求1所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述顶盖电极(3)的顶部设有凹槽，所述顶盖电极挡光绝缘垫(2)容置于该凹槽内。

7.根据权利要求1所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述顶盖电极(3)上设有进样毛细管(10)，所述进样毛细管(10)的进样端位于所述传输电极内侧的电离区内。

8.根据权利要求1所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述顶盖电极(3)和所述入口电极(5)上施加有直流传输电压；所述多极杆电极(7)上叠加有射频电压，实现离子的聚焦传输。