[发明专利]FinFET的阈值电压调节方法

权利要求书

1.一种FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供半导体衬底，对所述半导体衬底进行图形化刻蚀形成鳍体；

步骤二、在所述鳍体的间隔区域中填充隔离介质层；

步骤三、对所述隔离介质层进行刻蚀使所述鳍体的顶部部分露出；

步骤四、形成盖帽层将所述鳍体的顶部部分覆盖，所述盖帽层的结构参数根据阈值电压的要求值进行设置；

步骤五、进行阈值电压调节注入，所述阈值电压调节注入的杂质穿过所述盖帽层进入到所述鳍体的顶部部分中用于调整FinFET的阈值电压，所述阈值电压的大小由所述阈值电压调节注入的参数和所述盖帽层的结构参数共同决定。

2.如权利要求1所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：同一所述半导体衬底上集成的FinFET包括N型FinFET和P型FinFET。

3.如权利要求2所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：步骤五中，所述N型FinFET的所述阈值电压调节注入的杂质类型为P型，所述P型FinFET的所述阈值电压调节注入的杂质类型为N型；

步骤五中，所述N型FinFET的所述阈值电压调节注入和所述P型FinFET的所述阈值电压调节注入分开进行。

4.如权利要求3所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：所述N型FinFET按照阈值电压不同分为多类；

步骤四中，阈值电压相同的同一类的所述N型FinFET的所述盖帽层的结构参数相同，阈值电压不同相同的各类所述N型FinFET对应的所述盖帽层的结构参数不相同；

步骤五中，所有的所述N型FinFET都采用相同参数的所述阈值电压调节注入同时实现，各类所述N型FinFET的阈值电压的差别由所述盖帽层的结构参数的不同来调节。

5.如权利要求3所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：所述P型FinFET按照阈值电压不同分为多类；

步骤四中，阈值电压相同的同一类的所述P型FinFET的所述盖帽层的结构参数相同，阈值电压不同相同的各类所述P型FinFET对应的所述盖帽层的结构参数不相同；

步骤五中，所有的所述P型FinFET都采用相同参数的所述阈值电压调节注入同时实现，各类所述P型FinFET的阈值电压的差别由所述盖帽层的结构参数的不同来调节。

6.如权利要求1所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：步骤一中，所述半导体衬底包括硅衬底。

7.如权利要求6所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：所述隔离介质层的材料为氧化层。

8.如权利要求7所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：所述隔离介质层采用FCVD工艺形成。

9.如权利要求6所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：步骤四中，所述盖帽层的结构参数通过生长不同的材料层来调节。

10.如权利要求9所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：所述盖帽层的材料包括软质材料和硬质材料，利用所述硬质材料对所述阈值电压调节注入的离子阻挡能力大于所述软质材料对所述阈值电压调节注入的离子阻挡能力的特点调节所述阈值电压；厚度相同时，所述阈值电压调节注入的杂质穿过所述软质材料后进入到所述鳍体的顶部部分的数量越多以及得到的所述阈值电压越大。

11.如权利要求10所述的FinFET的阈值电压调节方法，其特征在于：所述软质材料包括采用FCVD工艺形成的氧化层，所述硬质材料包括氮化硅层。