[发明专利]MEMS振镜及其制作方法

权利要求书

1.一种MEMS振镜，其特征在于，所述MEMS振镜包括：

振镜部；

外框；

连接于所述振镜部与所述外框之间的转轴部；以及，

疏水膜；其中，所述疏水膜至少包覆于所述转轴部的外表面。

2.根据权利要求1所述的MEMS振镜，其特征在于，所述疏水膜包括Parylene薄膜。

3.根据权利要求1所述的MEMS振镜，其特征在于，所述振镜部包括：振镜本体，以及，设置于所述振镜本体的周向的隔离结构。

4.根据权利要求1所述的MEMS振镜，其特征在于，所述转轴部包括：

设置于所述振镜部与所述外框之间，且与所述振镜部连接的快轴；

设置于所述振镜部与所述外框之间，且与所述外框连接的慢轴；以及，

连接于所述快轴和所述慢轴之间的可动框架。

5.一种MEMS振镜制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底层；

在所述基底层中形成MEMS振镜的振镜部、外框以及连接于所述振镜部与所述外框之间的转轴部；以及，

至少在所述转轴部的外表面形成疏水膜。

6.根据权利要求5所述的MEMS振镜制作方法，其特征在于，所述疏水膜包括Parylene薄膜。

7.根据权利要求5所述的MEMS振镜制作方法，其特征在于，所述基底层包括SOI硅片，所述SOI硅片包括绝缘衬底以及分别位于所述绝缘衬底相对的两侧的第一制作层和第二制作层；

所述在所述基底层中形成MEMS振镜的振镜部、外框以及连接于所述振镜部与所述外框之间的转轴部，包括：

在所述第一制作层中形成振镜部；所述振镜部包括振镜本体和隔离结构，其中，所述隔离结构设置于所述振镜本体的周向；

对所述第二制作层进行刻蚀，形成背腔；

在所述第一制作层中形成转轴部；

去除所述转轴部与所述背腔之间以及所述振镜部与所述背腔之间的绝缘衬底，使所述振镜部与所述转轴部成为悬空结构。

8.根据权利要求7所述的MEMS振镜制作方法，其特征在于，所述在所述第一制作层中形成振镜部，包括：

在所述第一制作层背向所述绝缘衬底的一侧涂覆光刻胶；

使用沟道层掩膜版对光刻胶进行刻蚀，并将图案化的光刻胶作为刻蚀所述第一制作层中沟道结构的掩膜；

刻蚀所述第一制作层至与所述绝缘衬底交界处，形成振镜本体以及围绕于振镜本体周向的沟道结构；

去除光刻胶；

在所述沟道结构的侧壁形成氧化绝缘层；

向所述沟道结构中填充氮化硅，形成隔离结构。

9.根据权利要求7所述的MEMS振镜制作方法，其特征在于，所述至少在所述转轴部的外表面形成疏水膜之前，所述MEMS振镜制作方法还包括：在所述第一制作层背向所述绝缘衬底的一侧形成反射层，所述反射层至少设置于所述振镜部的表面。

10.根据权利要求5所述的MEMS振镜制作方法，其特征在于，所述MEMS振镜的制作方法还包括：对所述基底层进行裂片，得到多个MEMS振镜。