[发明专利]一种低氧杂质含量的单晶炉

权利要求书

1.一种低氧杂质含量的单晶炉，其特征在于，从内向外依次设置炉壁(1)、保温筒(2)，导流筒(4)紧挨保温筒(2)设置；导流筒(4)下方是坩埚(5)，其内部盛放熔体(6)，晶体(3)位于熔体(6)中心正上方；工作时，导流筒(4)底部与熔体(6)的距离，由内向外逐渐减小，高纯惰性气体(7)由炉壁(1)顶部通入，依次流经晶体(3)，导流筒(4)，熔体(6)，坩埚(5)，保温筒(2)；

导流筒(4)下边沿距离坩埚(5)越近的位置与熔体(6)的间距越小，导流筒(4)的下边沿到熔体(6)的自由液面之间的距离与其径向距离的乘积保持不变，导流筒(4)底部与熔体(6)形成的通道的径向横截面积保持不变。

2.根据权利要求1所述的一种低氧杂质含量的单晶炉，其特征在于，导流筒(4)由保温结构(8)和支撑结构(9)组成。

3.根据权利要求1所述的一种低氧杂质含量的单晶炉，其特征在于，导流筒(4)与晶体(3)之间的最小距离为10-40mm。

4.根据权利要求1所述的一种低氧杂质含量的单晶炉，其特征在于，导流筒(4)与熔体(6)之间的最小距离为10-30mm。

5.根据权利要求1所述的一种低氧杂质含量的单晶炉，其特征在于，所述导流筒(4)内筒锥度为30°-60°。

6.根据权利要求3所述的一种低氧杂质含量的单晶炉，其特征在于，保温结构(8)采用碳碳复合材料制成。

7.根据权利要求3所述的一种低氧杂质含量的单晶炉，其特征在于，支撑结构(9)采用钼、钨钼合金、钛合金或石墨中任意一种制成。