[发明专利]解键合的激光发生器位置确定方法

说明书

本发明提供一种解键合的激光发生器位置确定方法，应用于叠层结构的解键合过程，其中，叠层结构是由晶圆和基板键合形成的，所述方法包括：对所述叠层结构的第一区域进行激光照射并对所述第一区域的晶圆和基板施力进行分离；在第一区域分离后，获取第二区域发生形变后的位置；依据与所述第二区域对应的原始目标爆点位置、第二区域的原始位置以及激光发生器的原始目标位置，确定原始光路；依据所述补偿前光路入射基板前的部分以及第二区域发生形变后的位置，确定待补偿光路和待补偿爆点位置；依据所述待补偿光路入射基板后的部分以及第二区域发生形变后的目标爆点位置，确定激光发生器的目标位置。本发明能够对基板的形变位置导致的爆点位移进行预先的补偿，以确保爆点位置的准确。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种解键合的激光发生器位置确定方法。

背景技术

在半导体制程领域中，经常需要对半导体晶圆单片的厚度进行薄化，所以必须对具有厚度的半导体晶圆在加载集成电路后对背面进行薄化加工(研磨切削)，而在加工过程中，通常会利用一基板将半导体晶圆暂时性键合(Temporary Bonding)，而由基板在加工过程作为半导体晶圆的基底，以保护半导体晶圆在加工过程不因厚度薄化而受损，当半导体晶圆完成薄化的后，必须再将半导体晶圆和基板解键合(DeBonding)。一种解键合方法是将晶圆和基板键合形成的键合机构划分为多个区域，对每个区域进行激光照射和分离。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题：已经分离的区域会导致整个键合结构发生形变，导致激光的爆点位置不准确。

发明内容

本发明提供的解键合的激光发生器位置确定方法，能够对基板的形变位置导致的爆点位移进行预先的补偿，以确保爆点位置的准确。

本发明提供一种解键合的激光发生器位置确定方法，应用于叠层结构的解键合过程，其中，叠层结构是由晶圆和基板键合形成的，所述方法包括：

对所述叠层结构的第一区域进行激光照射并对所述第一区域的晶圆和基板施力进行分离；

在第一区域分离后，获取第二区域发生形变后的位置；

依据与所述第二区域对应的原始目标爆点位置、第二区域的原始位置以及激光发生器的原始目标位置，确定原始光路；

依据所述补偿前光路入射基板前的部分以及第二区域发生形变后的位置，确定待补偿光路和待补偿爆点位置；

依据所述待补偿光路入射基板后的部分以及第二区域发生形变后的目标爆点位置，确定激光发生器的目标位置。

可选地，对所述叠层结构的第一区域进行激光照射并对所述第一区域的晶圆和基板施力进行分离包括：

将透明吸盘吸附在所述基板上；

将激光透过所述透明吸盘对第一区域进行激光照射；

通过透明吸盘对所述第一区域的基板施力，以使所述晶圆和所述基板分离。

可选地，将激光透过所述透明吸盘对第一区域进行激光照射包括：

依据所述透明吸盘的透射波长和基板的透射波长，确定可用波长范围；

将波长为可用波长范围内的激光透过所述透明吸盘对第一区域进行激光照射。

可选地，所述透明吸盘具有多个施力拉杆；

通过透明吸盘对所述第一区域的基板施力包括：

采用距离所述第一区域最近的至少一个施力拉杆对所述基板施力，以使所述晶圆和所述基板分离。

可选地，通过透明吸盘对所述第一区域的基板施力，以使所述晶圆和所述基板分离包括：