[发明专利]一种双向光敏器在审
申请号: | 202111045523.4 | 申请日: | 2021-09-07 |
公开(公告)号: | CN113782550A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 唐宁 | 申请(专利权)人: | 唐宁 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 山东智达联合专利代理事务所(普通合伙) 37303 | 代理人: | 张方昆 |
地址: | 620000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双向 光敏 | ||
本发明适用于光电领域,提供了一种双向光敏器,包括底板,还包括:透光元件,用于收集光束并保证光束通过;光感元件,用于接收光照并调整自身的电阻值;二极管元件,用于控制电流的大小以及电流的通断。正向利用场景:光照射到双向光敏器,双向光敏器本身电阻发生变化,光强度越强,双向光敏器电阻越大,或达到无穷大,电压及电流通过双向光敏器产生的阻力就越大,通过双向光敏器的电流及电压就越小。即通过控制光照射在双向光敏器上的强度不同,电流从双向光敏器的正极流入,从双向光敏器从负极流出的电流及电压就不同,形成了对应光强度的模拟量信号或开关信号。
技术领域
本发明属于光电领域,尤其涉及一种双向光敏器。
背景技术
光电技术是以光电子学为基础,综合利用光学、精密机械、电子学和计算机技术解决各种工程应用课题的技术学科。信息载体正在由电磁波段扩展到光波段,从而使光电科学与光机电一体化技术集中在光信息获取、传输、处理、记录、存储、显示和传感等的光电信息产业上。
现有的光电技术往往利用光信号单向传输的特点,通过照射光电元器件产生电路电流。
但是,现有的光电技术不能在光照强度以及光照方向变化的情况下,对电路的阻值和电流施加影响,进而使得现有技术的光电元件使用范围较小。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种双向光敏器,旨在解决现有的光电技术不能在光照强度以及光照方向变化的情况下,对电路的阻值和电流施加影响,进而使得现有技术的光电元件使用范围较小的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种双向光敏器,包括底板,还包括:
透光元件,透光元件安装在底板的一侧,用于收集光束并保证光束通过;
光感元件,光感元件安装在透光元件的一侧,用于接收光照并调整自身的电阻值;
二极管元件,二极管元件安装在光感元件的一侧,用于控制电流的大小以及电流的通断。
进一步的技术方案,光感元件包括固定在底板一侧的阳极丝印电极,光感元件还包括固定在二极管元件一侧的阴极丝印电极。
进一步的技术方案,阴极丝印电极的一侧涂装有第一钝化镀膜层,阳极丝印电极的一侧涂装有第二钝化镀膜层。
进一步的技术方案,二极管元件包括固定在第一钝化镀膜层一侧的P基区,还包括固定在第二钝化镀膜层一侧的N发射区。
进一步的技术方案,透光元件包括焊接在阴极丝印电极一侧的玻璃层。
进一步的技术方案,阴极丝印电极的一侧固定有负极导线,阳极丝印电极的一侧固定有正极导线。
进一步的技术方案,负极导线与阴极丝印电极,正极导线与阳极丝印电极之间均固定有焊点。
本发明实施例提供的一种双向光敏器,正向利用场景:光照射到双向光敏器,双向光敏器本身电阻发生变化,光强度越强,双向光敏器电阻越大,电压及电流通过双向光敏器产生的阻力就越大,通过双向光敏器的电流及电压就越小。即通过控制光照射在双向光敏器上的强度不同,电流从双向光敏器的正极流入,从双向光敏器从负极流出的电流及电压就不同,形成了对应光强度的模拟量信号或开关信号。反向利用场景:当照射到双向光敏器上的光由强转弱,双向光敏器本身电阻值由小变大直至无穷大,电流通过双向光敏器产生的阻力就越大,通过双向光敏器的电流就会越小。照射到双向光敏器上的光由强转弱,电流从双向光敏器的负极流入,从双向光敏器从正极流出的电流就不同,形成了对应光强度的模拟量信号或开关信号。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图;
图2为本发明实施例中正向的阻值-光强曲线图;
图3为本发明实施例中负向的阻值-光强曲线图;
图4为本发明实施例中的焊点的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的