[发明专利]SRAM存储单元版图及设计方法、电路、半导体结构、存储器

权利要求书

1.一种SRAM存储单元版图，其特征在于，包括：

衬底；

沿第一方向延伸的至少一个有源区；

沿第二方向延伸的至少一个栅极结构；所述第二方向垂直于所述第一方向；

至少一个接触结构；其中，

所述至少一个接触结构连接所述至少一个有源区中的两个相邻有源区，以及目标栅极结构；所述目标栅极结构属于所述至少一个栅极结构；

所述目标栅极结构在所述衬底中的投影相交于所述至少一个有源区中除所述两个相邻有源区外的其他有源区在所述衬底中的投影。

2.根据权利要求1所述的SRAM存储单元版图，其特征在于，所述至少一个有源区包括：第一有源区和第二有源区；所述至少一个栅极结构包括：第一栅极结构；所述至少一个接触结构包括：第一接触结构；其中，

所述第一接触结构连接所述第一有源区、所述第二有源区和所述第一栅极结构。

3.根据权利要求2所述的SRAM存储单元版图，其特征在于，所述至少一个有源区还包括：第三有源区和第四有源区；所述至少一个栅极结构还包括：第二栅极结构；所述至少一个接触结构还包括：第二接触结构；其中，

所述第一有源区在所述衬底中的投影和所述第二有源区在所述衬底中的投影分别相交于所述第二栅极结构在所述衬底中的投影；所述第三有源区在所述衬底中的投影和所述第四有源区在所述衬底中的投影分别相交于所述第一栅极结构在所述衬底中的投影；

所述第二接触结构连接所述第三有源区、所述第四有源区和所述第二栅极结构。

4.根据权利要求3所述的SRAM存储单元版图，其特征在于，所述版图还包括：

沿所述第二方向延伸的第三栅极结构；

第三接触结构、第四接触结构、第五接触结构和第六接触结构；其中，

所述第三栅极结构在所述衬底中的投影相交于所述第一有源区在所述衬底中的所述投影；

所述第三接触结构和所述第四接触结构均位于所述第一有源区中；所述第三接触结构和所述第一接触结构分别位于所述第三栅极结构的两侧；所述第四接触结构和所述第一接触结构分别位于所述第二栅极结构的两侧；

所述第五接触结构位于所述第二有源区中；所述第五接触结构和所述第一接触结构分别位于所述第二栅极结构的两侧；

所述第六接触结构位于所述第三栅极结构中。

5.根据权利要求3或4所述的SRAM存储单元版图，其特征在于，所述版图还包括：

沿所述第二方向延伸的第四栅极结构；

第七接触结构、第八接触结构、第九接触结构和第十接触结构；其中，

所述第四栅极结构在所述衬底中的投影相交于所述第四有源区在所述衬底中的投影；

所述第七接触结构位于所述第三有源区中；所述第七接触结构和所述第二接触结构分别位于所述第一栅极结构的两侧；

所述第八接触结构和所述第九接触结构均位于所述第四有源区中；所述第八接触结构和所述第二接触结构分别位于所述第一栅极结构的两侧；所述第九接触结构和所述第二接触结构分别位于所述第四栅极结构的两侧；

所述第十接触结构位于所述第四栅极结构中。

6.根据权利要求5所述的SRAM存储单元版图，其特征在于，所述版图还包括：

第一金属线、第二金属线、第三金属线、第四金属线、第五金属线、第六金属线、第七金属线和第八金属线；其中，

所述第一金属线、所述第二金属线、所述第三金属线、所述第四金属线、所述第五金属线、所述第六金属线、所述第七金属线和所述第八金属线分别依次连接所述第三接触结构、所述第四接触结构、所述第五接触结构、所述第六接触结构、所述第七接触结构、所述第八接触结构、所述第九接触结构和所述第十接触结构。

7.根据权利要求1所述的SRAM存储单元版图，其特征在于，所述至少一个接触结构的形状为L形。