[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其包括：

栅极电极；

半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；

接触插塞，所述接触插塞包括第一导电材料，其中，所述接触插塞的第一接触插塞被设置在所述源极区域上，且其中，所述接触插塞的第二接触插塞被设置在所述漏极区域上；

第一金属部，所述第一金属部包括第二导电材料，所述第二导电材料不同于所述第一导电材料，其中，所述第一金属部的第一者被堆叠在所述第一接触插塞上，且其中，所述第一金属部的第二者被堆叠在所述第二接触插塞上；

至少一层绝缘膜，所述至少一层绝缘膜(1)沿着所述半导体层的面内方向被设置在所述接触插塞之间，且(2)沿着堆叠方向被设置在所述第一金属部的底面下方，以及

低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述栅极电极的顶面的一部分上方的区域中沿着所述堆叠方向延伸、且沿着所述半导体层的所述面内方向位于所述接触插塞之间。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述低介电常数区域包括空腔。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述至少一层绝缘膜包括：所述至少一层绝缘膜的第一部分，所述至少一层绝缘膜的所述第一部分在所述半导体层的所述面内方向上被设置在所述接触插塞之间、且在所述堆叠方向上被设置在所述第一金属部的所述底面下方，并且所述至少一层绝缘膜的所述第一部分占据所述第一接触插塞与所述栅极电极的侧面之间的区域。

4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中，所述至少一层绝缘膜还包括：所述至少一层绝缘膜的第二部分，所述至少一层绝缘膜的所述第二部分在所述半导体层的所述面内方向上被设置在所述接触插塞之间、且被设置在所述栅极电极的所述顶面的一部分的上方。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中，所述空腔的顶部由所述至少一层绝缘膜的所述第二部分形成。

6.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中，所述空腔的顶部由在所述堆叠方向上位于所述第一金属部的所述底面下方或所述底面处的所述至少一层绝缘膜的所述第二部分形成。

7.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中，所述至少一层绝缘膜的所述第二部分中的一者在所述堆叠方向上被设置在位于所述第一金属部的所述底面与所述栅极电极的所述顶面之间的第二区域中，以形成所述空腔的顶部。

8.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中

所述至少一层绝缘膜至少包括：

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜至少沿着所述栅极电极的所述侧面延伸；

第二绝缘膜，所述第一绝缘膜的至少一部分被设置在所述第二绝缘膜与所述栅极电极之间；和

第三绝缘膜，所述第三绝缘膜在所述面内方向上被设置在所述接触插塞之间，且在所述堆叠方向上被设置在所述第一金属部的所述底面的下方，所述第三绝缘膜位于所述空腔的侧部的外侧。

9.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其中

所述至少一层绝缘膜还包括第四绝缘膜，所述第四绝缘膜位于所述第三绝缘膜的顶面的上方，并且

所述空腔的顶部位于所述第四绝缘膜的下方。

10.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其中

所述至少一层绝缘膜还包括第四绝缘膜，所述第四绝缘膜位于所述第三绝缘膜的顶面的上方、且位于所述空腔的所述侧部与所述第三绝缘膜之间。

11.根据权利要求9或10所述的场效应晶体管，其中，所述至少一层绝缘膜的所述第二部分包括所述第四绝缘膜。