[发明专利]场效应晶体管

说明书

本发明提供了一种场效应晶体管，其包括：栅极电极；半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，所述接触插塞被设置于所述源极区域和所述漏极区域上；第一金属部，所述第一金属部被堆叠在所述接触插塞上；以及低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。

本申请是申请日为2015年3月25日、发明名称为“场效应晶体管”的申请号为201910332289.X的专利申请的分案申请。

申请号为201910332289.X的专利申请是申请日为2015年3月25日、发明名称为“场效应晶体管、场效应晶体管制造方法和射频器件”的申请号为201580000970.4的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及适合于例如(但不限于)射频器件中的开关元件的场效应晶体管(FET：field-effect transistor)、该场效应晶体管的制造方法、以及包括该场效应晶体管的射频器件。

背景技术

被构造成开启和关闭射频(RF：radio frequency)的射频开关(RF-SW：Radio-frequency switch)被用于诸如移动电话等便携式通信终端的前端。在这样的射频开关中，一个重要的特性是从该射频开关内通过的射频具有低损耗。为了这样的低损耗，重要的是：需要减小FET在接通状态下的电阻(接通电阻)或该FET在断开状态下的电容(断开电容)，也就是说，需要减小接通电阻和断开电容的乘积(Ron×Coff)。

所述断开电容包括：在例如(但不限于)扩散层和基板中生成的分量(内部(intrinsic)分量)；以及在例如(但不限于)栅极电极、接触插塞和所述接触插塞上的布线线路中生成的分量(外部(extrinsic)分量)。例如，在超小型MOSFET的领域中，已经提议了在栅极电极周围设有空气间隙以减小该栅极电极与接触插塞之间的寄生电容，由此减小外部分量(例如，请参考专利文献1)。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利申请公开第2002-359369号

发明内容

在专利文献1所示的构造中，难以充分地减小栅极电极与位于接触插塞上的布线线路之间的寄生电容、在位于接触插塞上的布线线路之间生成的电容(布线间电容)、或者任何其他的电容，因此仍然还有改进的空间。

期望的是，提供一种使得能够减小断开电容中的外部分量的场效应晶体管、该场效应晶体管的制造方法和包括该场效应晶体管的射频器件。

根据本发明一个实施例的场效应晶体管包括下列部件(A)到(E)：

(A)栅极电极；

(B)半导体层，它具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；

(C)接触插塞，它们被设置在所述源极区域和所述漏极区域上；

(D)第一金属部，它们分别被堆叠在所述接触插塞上；以及

(E)低介电常数区域，它在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。

在根据本发明上述实施例的场效应晶体管中，在所述半导体层的面内方向上位于所述第一金属部之间的区域中，所述低介电常数区域在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。这使得能够减小所述栅极电极与所述接触插塞之间的寄生电容、或所述栅极电极与所述第一金属部之间的寄生电容，由此减小断开电容的外部分量。

根据本发明一个实施例的射频器件设置有场效应晶体管，且所述场效应晶体管包括下列部件(A)到(E)：