[发明专利]一种用于半导体刻蚀工艺的生产设备

说明书

本发明公开了一种用于半导体刻蚀工艺的生产设备，包括：壳体，所述壳体为中空结构，内部形成加工空间，所述壳体的底壁上设置有出气口，所述加工空间通过所述出气口与外部连通；过滤组件，所述过滤组件包括安装盘，所述安装盘可转动的配置于所述所述壳体下方，且所述安装盘上开设有多个安装口，多个所述安装口沿所述安装盘周向均匀分布，所述安装口内安装有过滤网，且所述安装口可随所述安装盘旋转，移动至所述出气口正下方；吸气组件，所述吸气组件包括气泵，所述气泵的进气口处于所述出气口的正下方。设备只需要在安装盘旋转期间停机，进而大大降低了设备的停机操作，而过滤网的清理或是更换等操作，均在设备正常运行情况下进行。

技术领域

本发明属于半导体生产技术领域，尤其涉及一种用于半导体刻蚀工艺的生产设备。

背景技术

在半导体处理过程中，等离子蚀刻是用于蚀刻半导体晶圆，以在半导体晶圆上形成的一层或多层电路的常用方法。在等离子蚀刻之后，残留颗粒或烟雾将保留在半导体晶圆上。残留颗粒或烟雾不仅污染蚀刻后的半导体晶圆本身，而且污染设备中存储的相邻晶片。

为了解决上述问题，一般的设置吸烟设备，将加工空间内的烟雾吸走。为了避免烟雾中的杂质堵塞气泵，一般在气泵与加工空间的连接处设置过滤网。但是现有的用于半导体刻蚀工艺的生产设备中，在更换过滤网期间，需要设备停机操作，进而需要设备停机较长的时间，从而降低了设备的加工效率。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种用于半导体刻蚀工艺的生产设备。

本发明提出的一种用于半导体刻蚀工艺的生产设备，包括：

壳体，所述壳体为中空结构，内部形成加工空间，所述壳体的底壁上设置有出气口，所述加工空间通过所述出气口与外部连通；

过滤组件，所述过滤组件包括安装盘，所述安装盘可转动的配置于所述所述壳体下方，且所述安装盘上开设有多个安装口，多个所述安装口沿所述安装盘周向均匀分布，所述安装口内安装有过滤网，且所述安装口可随所述安装盘旋转，移动至所述出气口正下方；

吸气组件，所述吸气组件包括气泵，所述气泵的进气口处于所述出气口的正下方，且所述安装盘处于所述壳体与所述气泵之间。

优选地，所述过滤组件还包括第一弹性件，所述安装盘还可沿自身轴线移动，所述第一弹性件沿所述安装盘轴向对其施加朝向所述壳体的弹性作用力。

优选地，所述过滤组件还包括安装杆和连接环，所述连接环固定设置于所述安装盘中部下侧，所述安装杆的上端通过轴承转动安装于所述连接环内，且所述安装杆与所述安装盘同轴设置，所述壳体下侧固定设置有固定板，所述固定板上开设有安装孔，所述安装杆的下端可滑动的贯穿所述安装孔，且通过所述第一弹性件与所述固定板连接。

优选地，所述第一弹性件为线性弹簧，所述安装杆的下端固定连接有固定片，所述线性弹簧套接于所述安装杆上，且两分别与所述固定板和固定片固定连接，且所述线性弹簧处于拉伸状态。

优选地，所述安装盘的上侧固定设置有第一卡环，多个所述第一卡环分别与多个所述安装口对应，且所述第一卡环与所述安装口同轴设置，所述壳体的下侧壁上设置有第一环形槽，所述第一环形槽与所述出气口同轴设置，所述第一卡环可卡接于所述第一环形槽内。

优选地，所述吸气组件还包括波纹管，所述气泵固定安装于所述固定板上，所述波纹管的下端与所述气泵的进气口连通，上端可与所述安装盘抵接，以实现与所述安装口连通。

优选地，所述波纹管的上端固定连接有第二卡环，所述安装盘的下侧开设有第二环形槽，多个所述第二环形槽分别与多个所述安装口对应，且所述第二环形槽与所述安装口同轴设置，所述第二卡环可卡接于所述第二环形槽内，以使所述波纹管与所述安装口连通。

优选地，所述吸气组件还包括第二弹性件，所述第二弹性件用于对所述第二卡环施加朝向安装盘一侧的弹性作用力。