[发明专利]一种靶向芯片的封装方法

权利要求书

1.一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在硬质基底上设置第一柔性层；S2：在第一柔性层上贴附导电层；S3：使用紫外激光按照预定轨迹切割所述导电层，形成所需图案；S4：使用柔性薄膜粘取所需图案，所述图案构成射频天线，所述柔性薄膜的粘附力大于所述第一柔性层的粘附力；S5：在所述射频天线的引线处点胶，将靶向芯片放置在所述引线处，进行热压键合；S6：在所述柔性薄膜设置有射频天线和靶向芯片的一侧浇注第二柔性层，完成靶向芯片的封装。

2.如权利要求1所述的一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，在S1步骤包括：

所述硬质基底材质为玻璃，所述第一柔性层为聚二甲基硅氧烷层；将聚二甲基硅氧烷预聚物与交联剂搅拌混合，制备第一聚二甲基硅氧烷混合溶液，将第一聚二甲基硅氧烷混合溶液涂覆在所述玻璃基底上，在30℃-90℃的温度条件下固化1-4小时，形成第一柔性层；制备所述第一聚二甲基硅氧烷混合溶液的所述聚二甲基硅氧烷预聚物与交联剂比例范围为大于等于5:1，小于等于20:1。

3.如权利要求1所述的一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，所述导电层为金属薄膜或非金属导电薄膜。

4.如权利要求1所述的一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，在S2步骤包括：将所述导电层贴附在所述第一柔性层上，用压辊碾压所述导电层，使导电层均匀紧致地贴附在第一柔性层。

5.如权利要求1所述的一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，在S4步骤包括：

将所述柔性薄膜贴在切割过的所述导电层上，并施加一定的压力使柔性薄膜贴附在所述导电层上，将附着有所述电路层的柔性薄膜与所述第一柔性层分离。

6.如权利要求2所述的一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，所述柔性薄膜制备方法为：将聚二甲基硅氧烷预聚物与交联剂搅拌混合，制备第二聚二甲基硅氧烷混合溶液，将第二聚二甲基硅氧烷混合溶液涂覆在支撑基底上，40℃-90℃固化1-6小时，去除支撑基底得到柔性薄膜；制备所述第二聚二甲基硅氧烷混合溶液的所述聚二甲基硅氧烷预聚物与交联剂比例范围为大于等于20:1，小于等于60:1。

7.如权利要求2所述的一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，

所述柔性薄膜制备方法为：将聚二甲基硅氧烷预聚物、交联剂与胺基改性材料搅拌混合，制备第二聚二甲基硅氧烷混合溶液，将第二聚二甲基硅氧烷混合溶液涂覆在支撑基底上，40℃-90℃固化1-6小时，去除支撑基底得到柔性薄膜；制备所述第二聚二甲基硅氧烷混合溶液的所述聚二甲基硅氧烷预聚物与交联剂比例范围为大于等于5:1，小于等于20:1。

8.如权利要求1所述的一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，所述第一柔性层和所述柔性薄膜层均用添加胺基改性材料的聚二甲基硅氧烷预聚物与交联剂比例为5:1至20:1的聚二甲基硅氧烷混合溶液制成，所述第一柔性层在110℃-130℃固化10-20min，所述柔性薄膜层在40℃-90℃固化1h-6h。

9.如权利要求1所述的一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，S5步骤具体包括：将导电胶涂布在所述射频天线的引线处，将带凸点的靶向芯片放置在所述射频天线的引线处，在热压温度为160℃-180℃、热压应力为120g-140g的条件下热压10s。

10.如权利要求1所述的一种靶向芯片的封装方法，其特征在于，S6步骤具体包括：制备聚二甲基硅氧烷预聚物与交联剂比例为20：1至60:1的第三聚二甲基硅氧烷混合溶液，浇注在所述柔性薄膜设置有射频天线和靶向芯片的一侧，在60℃-90℃的温度条件下保温9h-12h形成第二柔性层；所述第二柔性层将所述射频天线和所述靶向芯片包裹在内。