[发明专利]一种（Inx

权利要求书

1.一种(In_xGa_1-x)₂O₃日盲紫外光电探测器，其特征在于：其光灵敏性达到10⁸，探测率达到2×10¹⁶-5×10¹⁶jones，包括一c-Al₂O₃衬底，该c-Al₂O₃衬底上通过PLD生长形成一厚度为0.1-0.5μm的(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜，该(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜上设有叉指电极，其中0.05≤x≤0.1；上述PLD的靶材由Ga₂O₃粉末和In₂O₃粉末经混合后煅烧制成，该PLD的温度为640-700℃。

2.如权利要求1所述的一种(In_xGa_1-x)₂O₃日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述c-Al₂O₃衬底为单面抛光或者双面抛光，尺寸为5-10mm×5-10mm×0.4-0.6mm。

3.如权利要求1所述的一种(In_xGa_1-x)₂O₃日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜的厚度为0.1-0.3μm。

4.如权利要求1所述的一种(In_xGa_1-x)₂O₃日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述叉指电极的材质为金或铂。

5.如权利要求4所述的一种(In_xGa_1-x)₂O₃日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述叉指电极的厚度为0.03-1μm。

6.权利要求1至5中任一权利要求所述的(In_xGa_1-x)₂O₃日盲紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)将0.026-0.036mol的Ga₂O₃粉末和0.0003-0.003mol的In₂O₃粉末放入研钵中并研磨混合均匀，然后将混合均匀的粉末倒入不锈钢磨具中，压制成型，再于1300-1350℃煅烧20-25h，获得陶瓷合金靶材；

(2)将c-Al₂O₃衬底依次在丙酮、异丙醇和去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干，获得洁净的c-Al₂O₃衬底。

(3)将上述洁净的c-Al₂O₃衬底固定在样品台上，再将其与陶瓷合金靶材一起放入脉冲激光沉积设备的真空腔内，于640-700℃进行脉冲激光沉积，形成所述(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜。

(4)在上述制得的(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜上用电子束蒸发镀上叉指电极，获得所述(In_xGa_1-x)₂O₃日盲紫外光电探测器。