[发明专利]沟槽型MOS器件的制作方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

形成沟槽栅结构；

进行阱区离子注入；

在高温炉管中进行推阱，且在推阱过程中向所述高温炉管中通入二氯乙烷和氧气；

在所述沟槽栅结构外侧形成源极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成沟槽栅结构包括：

在衬底表面形成外延层；

在所述外延层中形成沟槽；

通过氧化工艺形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖沟槽表面和所述外延层表面；

沉积多晶硅填充所述沟槽；

去除高于所述外延层表面的多晶硅，形成沟槽栅结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除高于所述外延层表面的多晶硅，形成沟槽栅结构之前，所述方法还包括：

向所述多晶硅中注入掺杂离子。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述外延层中形成沟槽，包括：

在所述外延层表面形成硬掩膜层；

通过光刻和刻蚀工艺在所述硬掩膜层中形成沟槽区域图案；

以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述外延层，形成所述沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述沟槽栅结构外侧形成源极，包括：

通过光刻工艺定义源区掺杂区域；

通过离子注入工艺进行源区掺杂；

通过光刻工艺和接触孔隔断工艺在沟槽栅结构外侧形成源极。