[发明专利]沟槽型MOS器件的制作方法

说明书

本申请公开了一种沟槽型MOS器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该沟槽型MOS器件的制作方法包括：形成沟槽栅结构，进行阱区离子注入，在高温炉管中进行推阱，且在推阱过程中向高温炉管中通入二氯乙烷和氧气，在沟槽栅结构外侧形成源极；解决了目前沟槽型MOS器件中多晶硅栅容易出现缺陷的问题；达到了改善沟槽型MOS器件的饱和源漏电流性能的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种沟槽型MOS器件的制作方法。

背景技术

沟槽型MOS器件(trench MOSFET)是一种栅极垂直于衬底表面的器件，具有导通电阻小、饱和电压低、沟道密度高等特点。

目前，在形成沟槽型MOS器件过程中，先在外延层上形成沟槽栅结构，再通过离子注入工艺形成源极。

然而，在进行源极注入的过程中，掺杂离子大剂量注入会对栅多晶硅11的表面造成损害，如图1所示，导致沟槽型MOS器件的饱和源漏电流(IDSS)的性能表现不符合器件设计要求。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种沟槽型MOS器件的制作方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种沟槽型MOS器件的制作方法，该方法包括：

形成沟槽栅结构；

进行阱区离子注入；

在高温炉管中进行推阱，且在推阱过程中向高温炉管中通入二氯乙烷和氧气；

在沟槽栅结构外侧形成源极。

可选的，形成沟槽栅结构包括：

在衬底表面形成外延层；

在外延层中形成沟槽；

通过氧化工艺形成栅氧化层，栅氧化层覆盖沟槽表面和外延层表面；

沉积多晶硅填充沟槽；

去除高于外延层表面的多晶硅，形成沟槽栅结构。

可选的，去除高于外延层表面的多晶硅，形成沟槽栅结构之前，该方法还包括：

向多晶硅中注入掺杂离子。

可选的，在外延层中形成沟槽，包括：

在外延层表面形成硬掩膜层；

通过光刻和刻蚀工艺在硬掩膜层中形成沟槽区域图案；

以硬掩膜层为掩膜刻蚀外延层，形成沟槽。

可选的，在沟槽栅结构外侧形成源极，包括：

通过光刻工艺定义源区掺杂区域；

通过离子注入工艺进行源区掺杂；

通过光刻工艺和接触孔隔断工艺在沟槽栅结构外侧形成源极。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过形成沟槽栅结构，进行阱区离子注入，在高温炉管中进行推阱，且在推阱过程中向高温炉管中通入二氯乙烷和氧气，在沟槽栅结构外侧形成源极；解决了目前沟槽型MOS器件中多晶硅栅容易出现缺陷的问题；达到了改善沟槽型MOS器件的饱和源漏电流性能的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种沟槽栅结构中多晶硅的缺陷示意图；