[发明专利]一种可增强通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法

权利要求书

1.一种可增强通流能力的单向ESD保护器件，包括P型单晶材料、N+扩散区、P+扩散区、P扩散区、表面钝化层、金属层Ⅰ、金属层Ⅱ，其特征在于：所述P型单晶材料内顶部依次设为N+扩散区、P扩散区、N+扩散区、P+扩散区，P型单晶材料顶面设有金属层Ⅰ、金属层Ⅱ，所述金属层Ⅰ与N+扩散区边缘、P扩散区与N+扩散区交界之间分别设有表面钝化区，金属层Ⅱ在N+扩散区与P扩散区交界、N+扩散区与P+扩散区交界、P+扩散区边缘分别设表面钝化区，所述P扩散区在金属层Ⅰ下方N+扩散区至金属层Ⅱ下方N+扩散区之间浓度逐渐降低。

2.一种根据权利要求1所述的可增强通流能力的单向ESD保护器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：制备P型单晶材料，晶向为100，电阻率为5-50Ω.cm；

步骤2：正面生长一层牺牲氧化层，牺牲氧化层的厚度为680-1000Å，正面光刻形成N+扩散区图形，正面磷注入，磷注入剂量为3E15-8E15cm^-2，能量为80-120KeV；

步骤3：正面光刻形成P+扩散区图形，正面硼注入，硼推进，形成N+扩散区、P+扩散区，硼注入剂量为1E15-3E15cm^-2，能量为30-80KeV，硼推进的温度为1050-1150℃，时间为60-180min，形成P+扩散区、N+扩散区；

步骤4：正面光刻形成P扩散区图形，形成P扩散区光刻图形；

步骤5：正面硼注入，硼推进，形成P扩散区，硼注入剂量为1E14-5E14cm^-2，能量为50-100KeV，硼推进的温度为1000-1100℃，时间为30-90min，形成P扩散区，硼注入、硼推进的工艺条件根据PN结击穿电压的要求进行选择优化；

步骤6：正面淀积隔离介质层，正面光刻形成的接触孔区，为：L1、L2、L3、L4、L5位置，相应的接触孔间隔区域为：D1、D2、D3、D4，区域内均为隔离介质层；

步骤7：正面溅射或蒸发金属，合金。

3.根据权利要求2所述的一种单向ESD保护器件的制作方法，其特征在于：所述步骤6中的隔离介质层为四乙氧基硅烷TEOS，厚度为5000-10000Å，光刻接触孔后，淀积一层TI/TIN。

4.根据权利要求3所述的一种单向ESD保护器件的制作方法，其特征在于：所述步骤6中的隔离介质层为四乙氧基硅烷TEOS，厚度为7000Å，光刻接触孔后，淀积一层TI/TIN。

5.根据权利要求2所述的一种单向ESD保护器件的制作方法，其特征在于：所述步骤7中的正面溅射或蒸发的金属为铝或铝铜或铝硅铜，厚度为2-4um，合金的温度为360-430℃，时间为25-45min。

6.根据权利要求5所述的一种单向ESD保护器件的制作方法，其特征在于：所述步骤7中的正面溅射或蒸发的金属为铝或铝铜或铝硅铜，厚度为3um，合金的温度为400℃，时间为35min。