[发明专利]一种诱变产生富硒魔芋突变体的方法在审

专利信息
申请号: 202111108485.2 申请日: 2021-09-22
公开(公告)号: CN113748987A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 蔡阳光;覃剑锋;段龙飞;陈国爱;张百忍;刘次鹏;杨凉花;王宗方 申请(专利权)人: 安康市农业科学研究院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 代理人: 崔瑞迎
地址: 725021 陕西省安康市汉*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 诱变 产生 魔芋 突变体 方法
【权利要求书】:

1.一种诱变产生富硒魔芋突变体的方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、将魔芋三龄球茎消毒、切块后接种于愈伤组织诱导培养基进行培养,得愈伤组织;

S2、将一部分愈伤组织切分转接至愈伤组织继代培养基进行继代培养,将培养长出的新愈伤组织切下,转至质量百分比0.2%-0.8%的EMS溶液中,于室温、黑暗、无菌环境下振荡培养4-8h,除去EMS溶液得诱变愈伤组织;

将另一部分愈伤组织转接于丛生芽诱导分化培养基分化培养得丛生芽,将丛生芽按单芽进行切分,转至质量百分比0.4%-1.2%的EMS溶液中,于室温、黑暗、无菌环境下振荡培养6-18h,除去EMS溶液得诱变丛生芽;

S3、将诱变愈伤组织于愈伤组织继代培养基中重复继代培养2-3次,后转接至含有16-64mg/L Na2SeO3的愈伤组织继代培养基中培养20-25天;将诱变丛生芽单芽转接至芽分化继代培养基中重复继代培养1-2次,后转接至含32-200mg/L Na2SeO3的芽分化继代培养基中培养15-20天;筛选获得耐硒及富硒能力强的诱变愈伤组织和诱变丛生芽,诱导分化获得再生植株,即富硒魔芋突变体。

2.根据权利要求1所述的一种诱变产生富硒魔芋突变体的方法,其特征在于,S1的消毒具体为:挑选球茎光滑完整、无疤痕、无伤口、芽头饱满的魔芋三龄球茎,先用流水洗净球茎表面,质量分数0.1%的升汞浸泡处理40-45min,倒净升汞,无菌水冲洗4-6次;然后质量分数75%的乙醇浸泡2-3min,倾去乙醇,无菌水冲洗2-3次,无菌滤纸吸干球茎表面水分。

3.根据权利要求1所述的一种利用诱变产生富硒魔芋突变体的方法,其特征在于,S1的愈伤组织诱导培养基组成为:MS基础成分+2-4mg/L 6-BA+0.2-0.5mg/L NAA+0.05-0.1mg/L2,4-D+30-50g/L蔗糖,pH5.8-6.5。

4.根据权利要求3所述的一种利用诱变产生富硒魔芋突变体的方法,其特征在于,S1的诱导培养条件为:暗培养30-35天,维持环境温度25℃±3℃,相对湿度60%-80%。

5.根据权利要求1所述的一种利用诱变产生富硒魔芋突变体的方法,其特征在于,S2的愈伤组织继代培养基组成为:MS基础成分+1-3mg/L 6-BA+0.5-1mg/L KT+0.5-1.0mg/L NAA+20-40g/L蔗糖,pH5.8-6.5;

丛生芽诱导分化培养基组成为:MS基础成分+1-3mg/L 6-BA+0.5-1mg/L KT+0.5-1.0mg/L NAA+20-40g/L蔗糖,pH5.8-6.5。

6.根据权利要求5所述的一种利用诱变产生富硒魔芋突变体的方法,其特征在于,S2的继代培养条件为:暗培养20-25天,环境温度25℃±3℃,相对湿度60%-80%;

分化培养条件为:培养40-50天,昼/夜光照时间比16h/8h、光照强度1500-2000lx,温度25±3℃、相对湿度50%-60%。

7.根据权利要求1所述的一种利用诱变产生富硒魔芋突变体的方法,其特征在于,S2的EMS溶液由由0.1mol/L NaH2PO4-Na2HPO4缓冲液配制。

8.根据权利要求1所述的一种利用诱变产生富硒魔芋突变体的方法,其特征在于,S3的芽分化继代培养基组成为:MS基础成分+0.5-1mg/L 6-BA+0.2-0.5mg/L KT+0.1-0.2mg/LNAA+20-40g/L蔗糖,pH5.8-6.5。

9.根据权利要求8所述的一种利用诱变产生富硒魔芋突变体的方法,其特征在于,S3的丛生芽单芽继代培养条件为:昼/夜光照时间比12h/12h、光照强度1500-2000lx,温度25±3℃、相对湿度50%-60%。

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