[发明专利]传输器件及其制备方法、量子器件集成组件和量子计算机

权利要求书

1.一种传输器件，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的微带线层；

形成于所述微带线层上的介质层；以及

形成于所述介质层上的接地层和端口焊盘，且所述接地层与所述微带线层的接地板电连接，所述端口焊盘与所述微带线层的导体带电连接。

2.根据权利要求1所述的传输器件，其特征在于，所述传输器件包括多个所述微带线层，且多个所述微带线层依次层叠于所述衬底上。

3.根据权利要求1所述的传输器件，其特征在于，所述微带线层包括多个导体带。

4.根据权利要求1-3所述的传输器件，其特征在于，在所述微带线层形成有对称微带传输线或不对称微带传输线。

5.根据权利要求1所述的传输器件，其特征在于，所述接地层与所述接地板之间形成有沉积孔，所述沉积孔内形成有电元件，所述电元件用于实现所述接地层与所述接地板的电连接。

6.根据权利要求5所述的传输器件，其特征在于，所述电元件为镀覆在所述沉积孔内壁上的超导材料，或为填充在所述沉积孔内的超导材料。

7.根据权利要求6所述的传输器件，其特征在于，所述超导材料为铝、铌或氮化钛。

8.根据权利要求1所述的传输器件，其特征在于，所述介质层为α-Si、二氧化硅或氮化硅。

9.根据权利要求1-3、5-8任一所述的传输器件，其特征在于，所述接地板、所述导体带以及所述接地层的厚度为20nm至150nm。

10.根据权利要求1所述的传输器件，其特征在于，所述端口焊盘包括用于与量子芯片电连接的第一端口，以及用于与操控和读取装置电连接的第二端口，且所述第一端口上形成有助焊层。

11.一种量子器件集成组件，其特征在于，包括：

量子芯片，所述量子芯片上形成有超导电路；以及

根据权利要求1-10任一项所述的传输器件，所述量子芯片倒装或正装于所述传输器件上，且所述接地层与所述量子芯片共地，所述导体带与所述超导电路耦合。

12.根据权利要求11所述的量子器件集成组件，其特征在于，所述量子芯片上形成有穿孔，所述穿孔内形成有超导互连件，且所述超导互连件与所述端口焊盘接触连接。

13.一种量子计算机，其特征在于，所述量子计算机至少设置有权利要求1-10任一项所述的传输器件，或权利要求11-12任一项所述的量子器件集成组件。

14.一种传输器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成微带线层于所述衬底上；

形成介质层于所述微带线层上；以及

形成接地层和端口焊盘于所述介质层上，且所述接地层与所述微带线层的接地板电连接，所述端口焊盘与所述微带线层的导体带电连接。