[发明专利]一种具有探伤功能的晶圆清洗设备在审
申请号: | 202111115735.5 | 申请日: | 2021-09-23 |
公开(公告)号: | CN113926757A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 钱诚;李刚;霍召军 | 申请(专利权)人: | 江苏亚电科技有限公司 |
主分类号: | B08B1/02 | 分类号: | B08B1/02;B08B3/02;F26B21/00;G01N29/04;H01L21/67 |
代理公司: | 北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 225500 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 探伤 功能 清洗 设备 | ||
本发明公开了一种具有探伤功能的晶圆清洗设备,涉及晶圆清洗设备技术领域。该具有探伤功能的晶圆清洗设备,包括清洗箱,所述清洗箱顶部设有顶盖,并且清洗箱两侧壁顶部和顶盖两侧壁底部均焊接有托板,同时两组托板通过电动推杆相连,所述清洗箱和顶盖内腔中部均安装有隔板,所述隔板用于将清洗箱和顶盖分隔成两个工作舱室,所述隔板两侧分别安装有多组第一输送辊和多组第二输送辊,并且两组第一输送辊之间设有清洗辊,所述清洗箱内腔底部和顶盖内腔顶部一侧均安装有喷水组件,本发明可对晶圆进行反复的清理,从而提高晶圆的清洗质量,并且又能对清洗后的晶圆进行探伤处理,方便工作人员及时调整或更换清洗辊,提高了晶圆清洗质量和效率。
技术领域
本发明涉及晶圆清洗设备技术领域,具体为一种具有探伤功能的晶圆清洗设备。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。
现有的晶圆清洗设备在使用时,只能对晶圆进行简单的清洗,不能完全去除晶圆上的污渍,从而影响了晶圆的后续加工处理,并且现有的晶圆清洗设备在清洗后又不能对晶圆其进行检测,当清洗辊对晶圆清洗力度过大时,由于工作人员又不能发现晶圆清洗后内部是否发生细微的断裂损坏,如果按照前面工序继续清洗,很容易造成大量晶圆损坏。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种具有探伤功能的晶圆清洗设备,解决了可对晶圆进行反复的清理,从而能够提高晶圆的清洗质量,并且又能对清洗后的晶圆进行探伤处理,以便于工作人员及时的调整或更换清洗辊,提高了晶圆清洗质量和效率的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种具有探伤功能的晶圆清洗设备,包括清洗箱,所述清洗箱顶部设有顶盖,并且清洗箱两侧壁顶部和顶盖两侧壁底部均焊接有托板,同时两组托板通过电动推杆相连,所述清洗箱和顶盖内腔中部均安装有隔板,所述隔板用于将清洗箱和顶盖分隔成两个工作舱室,所述隔板两侧分别安装有多组第一输送辊和多组第二输送辊,并且两组第一输送辊之间设有清洗辊,所述清洗箱内腔底部和顶盖内腔顶部一侧均安装有喷水组件;
所述清洗箱内腔底部另一侧安装有支架,并且支架顶部表面安装有探伤探头,所述探伤探头用于探伤清洗后的晶圆是否有损坏,所述清洗箱外壁表面一侧安装有超声波探伤仪,所述超声波探伤仪配合探伤探头对晶圆探伤处理。
进一步地,所述清洗箱顶部表面两侧通过防护罩与顶盖底部表面两侧相连。
进一步地,所述第一输送辊一端安装有第一从动同步轮,所述清洗箱和顶盖前方的托板顶部表面一侧安装有第一伺服电机,并且第一伺服电机输出端安装有第一驱动同步轮,同时第一驱动同步轮通过第一同步带与多组第一从动同步轮传动相连。
进一步地,所述喷水组件包括U型架,所述U型架设有多组,并且多组U型架顶部表面两侧均插接有雾化喷头,同时雾化喷头朝向所述清洗辊,所述U型架上的雾化喷头输入端安装有第一分流管,并且每组第一分流管输入端通过第二分流管与导管相连。
进一步地,所述清洗辊一端安装有第二从动同步轮,所述清洗箱和顶盖后方的托板顶部表面一侧安装有第二伺服电机,并且第二伺服电机输出端安装有第二驱动同步轮,同时第二驱动同步轮通过第二同步带与多组第二从动同步轮传动相连。
进一步地,所述第二输送辊一端安装有第三从动同步轮,所述清洗箱和顶盖前方的托板顶部表面另一侧安装有第三伺服电机,并且第三伺服电机输出端安装有第三驱动同步轮,同时第三驱动同步轮通过第三同步带与多组第三从动同步轮传动相连。
进一步地,所述超声波探伤仪底部表面安装有固定板,并且固定板一端与清洗箱焊接相连。
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