[发明专利]存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成堆叠结构；所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅电极层；其中，所述存储器具有贯穿所述堆叠结构的栅缝隙；所述栅电极层通过所述栅缝隙侧壁和底部的导电材料连通；

在所述栅缝隙的侧壁和底部覆盖绝缘材料；

去除部分所述绝缘材料和位于所述栅缝隙底部以及至少部分侧壁的所述导电材料；

去除剩余所述绝缘材料；

去除所述栅缝隙侧壁和底部的所述导电材料，形成相互分离的所述栅电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅缝隙的宽度由所述栅缝隙的开口处到所述栅缝隙底部逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘材料的厚度由所述栅缝隙的开口处到所述栅缝隙底部逐渐减小。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述去除部分所述绝缘材料和位于所述栅缝隙底部以及至少部分侧壁的所述导电材料，包括：

利用干法刻蚀，减薄所述栅缝隙侧壁和底部的所述绝缘材料，直至所述栅缝隙底部以及至少部分侧壁的所述绝缘材料被去除；

继续减薄所述栅缝隙侧壁剩余的所述绝缘材料，并减薄位于所述栅缝隙底部和至少部分侧壁的所述导电材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面形成堆叠结构，包括：

在所述衬底上形成交替堆叠的所述绝缘层和牺牲层；

形成贯穿所述绝缘层和所述牺牲层的所述栅缝隙；

去除所述牺牲层；

形成所述栅电极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成所述栅电极层，包括：

在相邻所述绝缘层之间填充所述导电材料，形成所述栅电极层；其中，所述导电材料在所述栅缝隙的侧壁和底部连通。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述栅缝隙的侧壁和底部覆盖绝缘材料，包括：

通过化学气相沉积CVD沉积所述绝缘材料，使所述绝缘材料覆盖所述栅缝隙内的所述导电材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述栅缝隙侧壁和底部的所述导电材料，形成相互分离的所述栅电极层之后，所述方法还包括：

在所述栅缝隙的侧壁覆盖介电材料，使所述栅电极层之间电隔离。

9.一种存储器，其特征在于，所述存储器根据权利要求1-8任一项方法制造；所述存储器包括：

衬底；

堆叠结构，位于所述衬底表面；所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅电极层；所述栅电极层通过所述绝缘层相互分离；

栅缝隙，位于所述衬底上，贯穿所述堆叠结构。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述存储器，还包括：

隔离层，位于所述栅缝隙的侧壁上，用于将所述栅电极层与衬底以及所述栅电极层之间电隔离；

导电层，位于所述所述隔离层之间，连接所述衬底，用于形成公共源极。