[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：

基底，设有自下而上依次层叠的集电区、场截止层、漂移层及基区；

至少两个间隔设置的沟槽栅结构，所述沟槽栅结构由所述基区的上表面贯穿所述基区并延伸进所述漂移层中；

发射区，位于所述基区的上表层，且与所述沟槽栅结构邻接；

绝缘埋层，位于所述基区内且在所述发射区下方，并与所述沟槽栅结构间隔预设距离；

接触区，位于所述基区内且在所述绝缘埋层下方；

层间介质层，位于所述沟槽栅结构及所述发射区上；

发射极导电层，位于所述层间介质层上；

导电连接部，贯穿所述层间介质层、所述发射区及所述绝缘埋层并延伸至所述接触区，所述发射极导电层通过所述导电连接部与所述接触区电连接；

其中，所述集电区、所述基区及所述接触区为第一导电类型，所述场截止层、所述漂移层及所述发射区为第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述绝缘埋层与所述发射区邻接，并与所述接触区邻接。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述绝缘埋层的靠近所述导电连接部的一侧与所述发射区间隔设置，且所述绝缘埋层的靠近所述沟槽栅结构的一侧与所述发射区邻接。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述集电区与所述接触区的掺杂浓度均高于所述基区的掺杂浓度，所述场截止层及所述发射区的掺杂浓度均高于所述漂移层的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极型晶体管还包括载流子存储层，所述载流子存储层位于所述漂移层与所述基区之间，所述载流子存储层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同，且所述载流子存储层的掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述沟槽栅结构包括栅导电层及栅介质层，所述栅介质层包围所述栅导电层的侧面与底面。

7.一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供预先形成有场截止层的基底；

形成漂移层，所述漂移层位于场截止层上方；

形成至少两个间隔设置的沟槽栅结构，所述沟槽栅结构由所述漂移层的上表面伸入所述漂移层中；

形成基区于所述漂移层的上表层，所述基区的结深小于所述沟槽栅结构的槽深；

形成绝缘埋层于所述基区内，所述绝缘埋层与所述沟槽栅结构间隔预设距离；

形成发射区于所述基区的上表层，且所述发射区位于所述绝缘埋层的上方；

形成层间介质层，所述层间介质层覆盖于所述沟槽栅结构及所述发射区上；

形成接触孔，所述接触孔由所述层间介质层的上表面贯穿所述层间介质层、所述发射区及所述绝缘埋层，所述接触孔的底部显露所述基区；

在所述接触孔的底部显露的所述基区的表面形成接触区；

形成导电材料层并覆盖所述层间介质层的上表面且填充所述接触孔，位于所述层间介质层上的所述导电材料层为发射极导电层，位于所述接触孔内的导电材料层为导电连接部，所述发射极导电层通过所述导电连接部与所述接触区电连接；

其中，所述基区及所述接触区为第一导电类型，所述发射区为第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反。

8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于：所述形成绝缘埋层于所述基区内，所述绝缘埋层与所述沟槽栅结构间隔预设距离，还包括：通过对所述基区进行注氧以得到所述绝缘埋层。

9.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于：所述绝缘埋层与所述发射区邻接，并与所述接触区邻接。