[发明专利]源极跟随器、接口电路及电子设备在审

专利信息
申请号: 202111132361.8 申请日: 2021-09-26
公开(公告)号: CN113821069A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 王艳梅;刘洋 申请(专利权)人: 歌尔微电子股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 晏波
地址: 266100 山东省青岛市崂*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 跟随 接口 电路 电子设备
【说明书】:

发明公开一种源极跟随器、接口电路及电子设备,该源极跟随器包括:输入电压接入端、输出电压接出端及电源电压端;第一MOS管及第二MOS管,第一MOS管的栅极及第二MOS管的栅极分别与输入电压接入端连接,第一MOS管的源极分别与输出电压接出端及偏置电流源连接,第一MOS管的漏极与第二MOS管的源极连接,第二MOS管的漏极接地。

技术领域

本发明涉及微电子电路技术领域,特别涉及一种源极跟随器、接口电路及电子设备。

背景技术

在模拟集成电路中特别是在各类传感器接口电路的微弱信号检测应用中,信号的准确放大或跟随是必不可少的。并且电压跟随器对线性度要求较高,如若出现信号失真,极为容易影响电压采样精度的问题。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种源极跟随器、接口电路及电子设备,旨在提高源极跟随器的线性度。

为实现上述目的,本发明提出一种源极跟随器,所述源极跟随器包括:

输入电压接入端、输出电压接出端及电源电压端;

第一MOS管及第二MOS管,所述第一MOS管的栅极及所述第二MOS管的栅极分别与所述输入电压接入端连接,所述第一MOS管的源极分别与所述输出电压接出端偏置电流源端连接,所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接,所述第二MOS管的漏极接地。

可选地,所述第一MOS管及第二MOS管均工作于亚阈值区;或者,

所述第一MOS管工作于饱和区,所述第二MOS管均工作于亚阈值区。

可选地,所述第一MOS管及第二MOS管均为P型MOS管。

可选地,所述第一MOS管衬底与源极短接;

所述第二MOS管的衬底与源极短接。

本发明还提出一种接口电路,包括如上所述的源极跟随器。

本发明还提出一种电子设备,包括如上所述的源极跟随器,或者包括如权利要求8所述的接口电路。

可选地,所述电子设备还包括传感器。

本发明通过设置第一MOS管及第二MOS管,并将第一MOS管及第二MOS管进行串联设置来实现第一MOS管源极电压对栅极电压的跟随,从而实现输出电压对输入电压的跟随。本发明通过第二MOS管来抑制第一MOS管的漏源电压VDS对源极电压跟随栅极电压时的影响,减小第一MOS管的漏源电压VDS给源极跟随器输出电压对输入电压跟随引入非线性。本发明有利于提高源极跟随器的线性度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明源极跟随器一实施例的电路结构示意图。

附图标号说明:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔微电子股份有限公司,未经歌尔微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111132361.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top