[发明专利]气体清除设备、方法、装置、控制系统及存储介质

说明书

本公开提供一种气体清除设备、方法、装置、控制系统及存储介质，气体清除设备包括箱体、分隔部、抽气装置、控制单元和检测装置。箱体内部具有容置空间，分隔部设置于箱体内，容置空间被分隔部分隔为第一容置空间和第二容置空间。分隔部设置有连通第一容置空间和第二容置空间的通气部。抽气装置与箱体的第二容置空间连通，控制单元与抽气装置电连接。检测装置被设置为检测晶圆模组的气体残余参数，检测装置与控制单元电连接。本公开中利用分隔部以及设置于侧部的抽气装置，形成气体流动通道，有效去除晶圆模组表面的残余气体。同时，设置检测装置辅助抽气装置，检测晶圆模组的气体残余参数，保证晶圆模组的残余气体都能够被清除。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种气体清除设备、方法、装置、控制系统及存储介质。

背景技术

半导体制造工艺中，会利用多种气体，例如干法刻蚀工艺，经过腐蚀性气体刻蚀晶圆表面，完成相应工艺制程。通常，在这些工艺制程完成后，反应室以及晶圆表面内可能会产生气体残余的情况，一般将需要将晶圆放置一段时间，去除表面的残留气体之后，再进行下一制程。然而，通过放置晶圆方式除残留气体的方法去除效率低，而且去除效果不理想，这不仅影响下一制程的正常进行，也影响晶圆的良率，给厂商造成损失。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种气体清除设备、方法、装置、控制系统及存储介质。

本公开的第一方面提供一种气体清除设备，所述气体清除设备包括：

箱体，所述箱体内部具有容置空间；

分隔部，设置于所述箱体内，所述分隔部沿所述箱体的竖向方向延伸，所述容置空间被所述分隔部分隔为第一容置空间和第二容置空间，所述第一容置空间被设置为容置晶圆模组；其中，所述分隔部设置有连通所述第一容置空间和所述第二容置空间的通气部；

抽气装置，所述抽气装置与所述箱体的所述第二容置空间连通，所述抽气装置被设置为抽取所述第二容置空间内的气体；

控制单元，所述控制单元与所述抽气装置电连接；

检测装置，所述检测装置被设置为检测所述晶圆模组的气体残余参数，所述检测装置与所述控制单元电连接。

根据本公开的一些实施例，所述箱体包括至少一个出气通道，所述至少一个出气通道设置于所述箱体的至少一个预设安装位置，所述抽气装置通过所述至少一个出气通道与所述箱体连通。

根据本公开的一些实施例，所述出气通道被构造为变径通道。

根据本公开的一些实施例，所述气体清除设备还包括至少一个法兰盘，所述法兰盘被设置为所述出气通道；

其中，沿所述法兰盘的轴向方向，所述法兰盘的内径尺寸不一致。

根据本公开的一些实施例，所述变径通道的与所述第二容置空间连通的第一端部的径向截面积大于所述变径通道的与所述抽气装置连通的第二端部的径向截面积。

根据本公开的一些实施例，所述通气部包括多个进气通孔，多个所述进气通孔沿所述分隔部的竖向方向和/或水平方向间隔设置。

根据本公开的一些实施例，所述第一容置空间内包括多个气流流动通道，所述晶圆模组包括多个晶圆，每个所述气流流动通道位于相邻的两个所述晶圆之间，其中，所述晶圆上方的气体沿着所述气流流动通道流向所述进气通孔。

根据本公开的一些实施例，每相邻两个所述晶圆之间具有预设数量的所述进气通孔。

根据本公开的一些实施例，所述抽气装置包括抽气部和管道组件，所述抽气部通过所述管道组件与所述出气通道连接。