[发明专利]一种FLASH寿命优化的数据存储方法、装置、设备及介质在审
申请号: | 202111135966.2 | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN114035741A | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 李长春;许午啸;李丹华;李晶 | 申请(专利权)人: | 北京航天时代激光导航技术有限责任公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 孙建玲 |
地址: | 100094 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 flash 寿命 优化 数据 存储 方法 装置 设备 介质 | ||
本发明提供了一种FLASH寿命优化的数据存储方法、装置、设备及介质,数据存储方法包括:设计存储数据模型,将同一周期内的存储数据按照存储模型封装,保证同一周期数据存储在同一Flash扇区内;增加存储数据校验,对同一Flash扇区内的存储数据计算校验和并存储,能够保证存储数据可靠性,便于数据处理;建立存储数据索引,Flash扇区编号与擦除次数对应,以均衡使用所有存储扇区,减少Flash各扇区擦除次数不均衡的情况,通过索引能够监控Flash寿命状况。
技术领域
本发明属于嵌入式系统应用软件技术领域,特别涉及一种FLASH寿命优化的数据存储方法、装置、设备及介质。
背景技术
嵌入式系统在运行过程中,对于性能参数、工作状态等数据有大量非易失存储需求,以便依据存储数据进行事后分析和维护诊断等。Flash作为典型的非易失存储器具有容量大、功耗低、可擦写次数多、控制灵活等特点,因此广泛用于构建嵌入式系统内部或外部的非易失存储空间。与内存、磁盘等存储介质不同,Flash存储器的每个存储单元只有在擦除以后才能写入数据,擦除的基本单位由一定个数读、写基本单元组成,一个可擦除的基本单位称为一个扇区。通常扇区擦除操作所需的时间比写入操作多一个数量级,并且每个扇区允许的擦除次数是有限的,这个擦除次数决定了Flash存储器的寿命。
嵌入式系统设计时,Flash存储器容量应当大于单次工作过程中需要存储的数据量,否则系统设计不符合使用需求。设Flash存储器的容量为v,扇区集合为s,其个数为k,单个扇区容量为ls,则v=ls*k。目前,嵌入式应用软件在使用Flash进行数据存储时,通常按照以下方法进行:
(1)应用软件申请内存空间r,大小至少为一个扇区容量ls,为了便于处理,内存空间r大小通常为2*ls,用于Flash数据存储的缓存;
(2)应用软件运行过程中,将需要存储的数据保存在内存空间r内,当内存空间r内数据长度等于ls后,擦除扇区s1,将内存空间r内ls长度的数据写入s1;
(3)重复过程2,依次将数据存入Flash扇区s2,s3……;
(4)嵌入式系统再次上电工作时,重复上述过程。
该Flash数据存储方法空间分配如图1所示。
该Flash数据存储方法中,存在以下缺陷:
(1)在嵌入式系统工作过程中,Flash存储器扇区使用分布不均衡。嵌入式系统设计时,Flash存储器通常会按照预留余量设计,Flash实际扇区个数k大于数据存储需要的扇区个数n,即Flash存储器容量v大于系统单次工作时需要存储的数据量。由图1可以看出,因系统工作状况不同,Flash存储器扇区s1至sn的使用概率依次降低,sn至sk的扇区在系统寿命内未被使用,导致Flash存储器扇区使用不均衡,Flash整体寿命缩短。
(2)同一周期存储数据可能在不同扇区,不便于数据的处理。为了减少Flash扇区擦除次数,该方法将内存空间r缓存满后再进行扇区擦除和写入,设应用软件同一周期需要缓存的数据集合为p,其长度为lp,由图1可以看出,同一周期的数据在内存空间r内缓存,通常ls不会恰好满足为lp的整数倍,因此周期数据p可能存储在两个扇区内,如图1所示,p4实际存储于s1、s2两个扇区,对于数据处理增加难度。
(3)上述Flash数据存储方法无法获取Flash扇区擦除次数,因而无法统计Flash的使用寿命情况。
发明内容
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