[发明专利]等离子体处理装置和天线组件

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置具有：

等离子体处理腔室；

主线圈，其设于所述等离子体处理腔室的上部或上方；

副线圈组件，其设于所述主线圈的径向内侧或径向外侧，所述副线圈组件包含具有一个以上的匝部的第1螺旋状线圈和具有一个以上的匝部的第2螺旋状线圈，所述第1螺旋状线圈的各匝部和所述第2螺旋状线圈的各匝部在铅垂方向上交替地配置，所述第1螺旋状线圈在上端具有第1上侧端子，在下端具有第1下侧端子，所述第1上侧端子借助一个以上的电容器连接于接地电位，所述第1下侧端子连接于接地电位，所述第2螺旋状线圈在上端具有第2上侧端子，在下端具有第2下侧端子，所述第2上侧端子借助所述一个以上的电容器或一个以上的其他的电容器连接于接地电位，所述第2下侧端子连接于接地电位；以及

RF电力供给部，其构成为向所述主线圈供给RF电力。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述主线圈构成为，构成该主线圈的线路的两端开放，自所述RF电力供给部向所述线路的中点或该中点的附近供电，在所述中点的附近接地，该主线圈以自所述RF电力供给部供给来的RF电力的1/2波长进行共振。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置具有气体导入部，该气体导入部设于所述等离子体处理腔室的上部中央，构成为向所述等离子体处理腔室内导入处理气体，

所述副线圈组件设于所述气体导入部与所述主线圈之间。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述一个以上的电容器包含可变容量电容器。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述第2上侧端子借助所述一个以上的电容器连接于接地电位。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述副线圈组件的下表面具有由所述第1螺旋状线圈的下表面构成的第1下表面部分和由所述第2螺旋状线圈的下表面构成的第2下表面部分，所述第1下表面部分和所述第2下表面部分互相对称地配置。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述副线圈组件的上表面具有由所述第1螺旋状线圈的上表面构成的第1上表面部分和由所述第2螺旋状线圈的上表面构成的第2上表面部分，所述第1上表面部分和所述第2上表面部分互相对称地配置。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述第1螺旋状线圈的各匝部的直径相同，所述第2螺旋状线圈的各匝部的直径相同。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述副线圈组件包含具有一个以上的匝部的第3螺旋状线圈，

所述第1螺旋状线圈的各匝部、所述第2螺旋状线圈的各匝部以及所述第3螺旋状线圈的各匝部在铅垂方向依次配置，

所述第3螺旋状线圈在上端具有第3上侧端子，在下端具有第3下侧端子，所述第3上侧端子借助所述一个以上的电容器或一个以上的其他的电容器连接于接地电位，所述第3下侧端子连接于接地电位。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述第1螺旋状线圈的各匝部和所述第2螺旋状线圈的各匝部为板状。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

在铅垂方向上相邻的所述第1螺旋状线圈的匝部与所述第2螺旋状线圈的匝部之间的间隔为1mm～10mm。