[发明专利]等离子体处理装置和天线组件在审

专利信息
申请号: 202111143115.2 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN114388326A 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 山泽阳平;齐藤武尚;藤原直树;藤原香;仓科大辅;保坂勇贵 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 天线 组件
【说明书】:

本发明涉及等离子体处理装置和天线组件。使进行等离子体处理时的电场强度降低,并且使对基板而言的等离子体分布的均匀性提高。等离子体处理装置具有:主线圈,其设于等离子体处理腔室的上部或上方;和副线圈组件,其设于主线圈的径向内侧或径向外侧。副线圈组件包含第1螺旋状线圈和第2螺旋状线圈。第1螺旋状线圈的各匝部和第2螺旋状线圈的各匝部在铅垂方向上交替地配置。第1螺旋状线圈的第1上侧端子借助一个以上的电容器连接于接地电位,第1螺旋状线圈的第1下侧端子连接于接地电位。第2螺旋状线圈的第2上侧端子借助一个以上的电容器或一个以上的其他的电容器连接于接地电位,第2螺旋状线圈的第2下侧端子连接于接地电位。

技术领域

本公开涉及等离子体处理装置和天线组件。

背景技术

专利文献1中公开有一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置包括:天线,其通过向腔室内供给高频从而在腔室内生成处理气体的等离子体;以及电力供给部,其向天线供给高频电力。天线具有外侧线圈和与该外侧线圈电感耦合的内侧线圈。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2019-67503号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开的技术使进行等离子体处理时的电场强度降低,并且使对基板而言的等离子体分布的均匀性提高。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案提供一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置具有:等离子体处理腔室;主线圈,其设于所述等离子体处理腔室的上部或上方;副线圈组件,其设于所述主线圈的径向内侧或径向外侧,所述副线圈组件包含具有一个以上的匝部的第1螺旋状线圈和具有一个以上的匝部的第2螺旋状线圈,所述第1螺旋状线圈的各匝部和所述第2螺旋状线圈的各匝部在铅垂方向上交替地配置,所述第1螺旋状线圈在上端具有第1上侧端子,在下端具有第1下侧端子,所述第1上侧端子借助一个以上的电容器连接于接地电位,所述第1下侧端子连接于接地电位,所述第2螺旋状线圈在上端具有第2上侧端子,在下端具有第2下侧端子,所述第2上侧端子借助所述一个以上的电容器或一个以上的其他的电容器连接于接地电位,所述第2下侧端子连接于接地电位;以及RF电力供给部,其构成为向所述主线圈供给RF电力。

发明的效果

根据本公开,能够使进行等离子体处理时的电场强度降低,并且能够使对基板而言的等离子体分布的均匀性提高。

附图说明

图1是表示等离子体处理系统的结构的概略的剖视图。

图2是表示天线的结构的概略的剖视图。

图3是示意性地表示天线的结构的概略的立体图。

图4是表示副线圈组件的结构的概略的立体图。

图5是表示副线圈组件的结构的概略的从上方观察的俯视图。

图6是表示副线圈组件的结构的概略的从下方观察的仰视图。

图7是表示副线圈组件的结构的概略的侧视图。

图8是表示副线圈组件的结构的概略的侧视图。

图9是表示比较例的实验结果的图表。

图10是表示本实施方式的实验结果的图表。

图11是表示其他实施方式的副线圈组件的结构的概略的立体图。

图12是表示其他实施方式的副线圈组件的结构的概略的立体图。

图13是表示其他实施方式的副线圈组件的结构的概略的立体图。

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