[发明专利]半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括高压集成电路和三相逆变桥，所述高压集成电路包括PWM信号缓存模块、高压驱动模块、低压驱动模块和自举模块，所述PWM信号缓存模块电连接所述高压驱动模块和所述低压驱动模块；

所述自举模块具有三路信号输入端和三路高侧浮动供电输出端，所述三路信号输入端对应电连接所述PWM信号缓存模块的三个电平输出端，所述三路高侧浮动供电输出端分别对应给所述三相逆变桥的三个上桥臂供电；所述高压驱动模块的三路高压驱动输出端分别驱动所述三相逆变桥的三个上桥臂，所述低压驱动模块的三路低压驱动输出端分别驱动所述三相逆变桥的三个下桥臂。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述自举模块包括三路相同的自举单元，所述三路信号输入端与所述三路自举单元一一对应，所述三路高侧浮动供电输出端与所述三路自举单元一一对应。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，每一路所述自举单元均包括储能电容、第一开关管、第二开关管、比较单元和逻辑转换单元；

所述信号输入端电连接所述第一开关管的导通控制端和所述逻辑转换单元的第一输入端，所述高侧浮动供电输出端电连接所述第一开关管的第一导通端和所述第二开关管的第一导通端；

所述比较单元的第一输入端电连接电源，所述比较单元的第二输入端电连接所述第一开关管的第二导通端，所述比较单元的输出端电连接所述逻辑转换单元的第二输入端；

所述逻辑转换单元的输出端电连接第二开关管的导通控制端，所述第二开关管的第二导通端电连接所述电源，所述第二开关管的第一导通端经所述储能电容接地；

在所述高侧浮动供电输出端的电压低于预设的第一阈值电压时，所述信号输入端接收到所述PWM信号缓存模块输出的高电平信号，所述第一开关管导通，所述第二开关管导通，所述电源向所述储能电容充电；在所述高侧浮动供电输出端的电压高于预设的第二阈值电压时，所述信号输入端接收所述PWM信号缓存模块输出的低电平信号，所述第一开关管截止，所述第二开关管截止，所述储能电容进行放电。

4.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述比较单元包括第一电阻、第二电阻、延时电容和比较器，所述比较器的同相输入端为所述比较单元的第一输入端，所述比较器的反相输入端分别经所述第二电阻和所述延时电容接地；所述第一电阻的一端为所述比较单元的第二输入端，另一端电连接所述比较器的反相输入端。

5.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述逻辑转换单元包括施密特触发器、与非门器和反相器，所述与非门器的第一输入端电连接所述施密特触发器的输出端，所述施密特触发器的输入端为所述逻辑转换单元的第一输入端，所述与非门器的第二输入端为所述逻辑转换单元的第二出入端，所述与非门器的输出端电连接所述反相器的输入端，所述反相器的输出端为所述逻辑转换单元的输出端。

6.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述自举单元还包括滤波电容，所述电源经所述滤波电容接地。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的半导体电路，其特征在于，还包括三路检测单元和三路用于与外部MCU电连接的电压反馈端，所述三路检测单元与所述三路高侧浮动供电输出端一一对应，所述三路检测单元与所述三路电压反馈端一一对应；每一路所述检测单元的检测端均与其对应的高侧浮动供电输出端电连接，每一路所述检测单元的输出端均与其对应的电压反馈端电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体电路，其特征在于，所述三路检测单元内置于所述高压集成电路中。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括与所述高压驱动模块和所述低压驱动模块电连接的保护模块，所述保护模块包括电压欠压保护电路、过流保护电路、过温保护电路和短路保护电路。

10.根据权利要求9所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括驱动使能电路，所述保护模块还包括故障检测电路，所述故障检测电路分别与所述驱动使能电路、所述电压欠压保护电路、所述过流保护电路、所述过温保护电路和所述短路保护电路电连接。