[发明专利]半导体设备的遮挡组件及反应腔室

权利要求书

1.一种半导体设备的遮挡组件，设置于反应腔室内，所述遮挡组件包括第一环体和第二环体，所述第一环体用于环绕在所述反应腔室中的承载部件的外周壁上；所述第二环体可活动的设置于所述反应腔室中的内衬上，且所述第二环体位于所述第一环体的上方，所述第一环体和所述第二环体可选择性的分离或者抵接，其特征在于，所述第一环体与所述第二环体相互抵接的两个表面上分别设置有能够相互配合的热交换结构，用于在所述第一环体和所述第二环体抵接时，将所述第二环体上的热量传递向所述第一环体；

所述热交换结构包括分别设置于所述第一环体和所述第二环体相对的表面处均间隔设置的凹部和凸部，所述第一环体支撑所述第二环体时，所述第一环体和所述第二环体中一者的所述凹部和另一者的所述凸部互相配合形成弯折的通道，用以加大所述第一环体和所述第二环体的热交换面积。

2.根据权利要求1所述的半导体设备的遮挡组件，其特征在于，所述第一环体上设置有多个第一凹部和多个第一凸部，多个所述第一凹部和多个所述第一凸部分别呈环状沿径向间隔且同心设置；

所述第二环体上设置有多个第二凹部和多个第二凸部；多个所述第二凹部和多个所述第二凸部分别与多个所述第一凸部和多个所述第一凹部配合。

3.根据权利要求1所述的半导体设备的遮挡组件，其特征在于，所述第一环体上设置有多个第一凹部和多个第一凸部，多个所述第一凹部和多个所述第一凸部在同一周向上间隔且均匀分布；

所述第二环体上设置有多个第二凹部和多个第二凸部；多个所述第二凹部和多个所述第二凸部分别与多个所述第一凸部和多个所述第一凹部配合。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体设备的遮挡组件，其特征在于，所述热交换结构还包括吸热结构，所述吸热结构设置于所述第一环体且位于所述第一环体的与所述第二环体相对的表面上，用以吸收所述第二环体的热量。

5.根据权利要求4所述的半导体设备的遮挡组件，其特征在于，所述吸热结构为吸热层，所述吸热层的表面具有多个均匀分布的微孔，且所述微孔的半径小于相邻的两个所述微孔的孔间距，且所述孔间距小于所述第二环体的热辐射产生的电磁波的波长，且所述波长小于所述微孔的孔深。

6.根据权利要求5所述的半导体设备的遮挡组件，其特征在于，所述微孔的轴线与相对应的所述第一环体的表面垂直。

7.根据权利要求5所述的半导体设备的遮挡组件，其特征在于，所述吸热层包括阳极氧化铝涂层。

8.根据权利要求1所述的半导体设备的遮挡组件，其特征在于，所述第一环体设有定位部和支撑部；所述第一环体支撑所述第二环体时，所述支撑部用以支撑所述第二环体，所述定位部用以定位所述第二环体。

9.根据权利要求8所述的半导体设备的遮挡组件，其特征在于，所述定位部包括定位凸部，所述定位凸部用于插入所述第二环体的定位凹槽中，且所述定位凸部和所述定位凹槽具有相对应的倾斜侧壁。

10.一种反应腔室，所述反应腔室包括：腔体、承载部件、内衬和遮挡组件，所述承载部件可升降的设置在所述腔体内，用于承载晶圆，所述内衬设置于所述腔体内，且位于所述承载部件上方，其特征在于，所述遮挡组件为如权利要求1-9任意一项所述的遮挡组件。