[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 202111190041.8 | 申请日: | 2021-10-13 |
公开(公告)号: | CN113629126A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 李源规;唐波玲;郑浩旋 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 林川靖 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,所述阵列基板分为透光区和非透光区;所述阵列基板包括基底和薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层设于所述基底上;所述薄膜晶体管层包括对应于非透光区的薄膜晶体管部和对应于透光区的色阻部;其特征在于:
所述色阻部直接设于所述基底;
或,所述色阻部与所述基底之间设有无机膜层或有机膜层,所述无机膜层或有机膜层的总层数等于1。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述基底和所述薄膜晶体光管层之间设有遮光层和第一缓冲层,所述遮光层设于所述基底对应所述薄膜晶体管部的位置上,所述第一缓冲层设于所述遮光层和所述基底上,所述色阻部设于所述第一缓冲层。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管部和第一缓冲层之间还设有第二缓冲层。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当所述色阻部直接设于所述基底,所述薄膜晶体管部和所述基底之间依次设有遮光层、第一缓冲层和第二缓冲层。
5.如权利要求1至4中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管部包括依次叠设的有源层、栅极绝缘层、栅极、有机绝缘层,还包括设于所述有机绝缘层的且间隔设置的源极与漏极;所述源极与漏极分别通过所述有机绝缘层的过孔和所述有源层连接。
6.如权利要求2至4中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一缓冲层的折射率范围为1.0~1.2。
7.如权利要求1至4中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述色阻部由红色色阻单元、绿色色阻单元和蓝色色阻单元构成;
或,所述色阻部由红色色阻单元、绿色色阻单元、蓝色色阻单元及白色色阻单元构成。
8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阵列基板的制作方法包括以下步骤:
提供一基底,在所述基底上形成遮光层;
在所述遮光层上形成缓冲层;
在所述缓冲层对应所述遮光层的位置上形成多个薄膜晶体管;
在所述基底或所述缓冲层上形成间隔设置的多个色阻单元,所述薄膜晶体管位于两相邻的色阻单元之间;
于所述色阻单元和薄膜晶体管上形成平坦层和像素电极层。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,当多个所述色阻单元形成于所述基底上时,所述“在所述基底或所述缓冲层上形成间隔设置的多个色阻单元”的步骤,包括:
对所述缓冲层进行蚀刻,蚀刻掉所述薄膜晶体管两侧的缓冲层;
在所述基底上直接形成多个所述色阻单元。
10.一种显示面板,包括阵列基板、OLED发光层和封装件,所述OLED发光层设于所述阵列基板上,所述封装件设于所述OLED发光层上,其特征在于,所述阵列基板采用如权利要求1至7中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的