[发明专利]一种具有定位槽的硅光芯片及其加工方法在审

专利信息
申请号: 202111201935.2 申请日: 2021-10-15
公开(公告)号: CN113805291A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 孙旭;李操;林天营;胡朝阳 申请(专利权)人: 苏州海光芯创光电科技股份有限公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 徐会娟
地址: 215000 江苏省苏州市中国(江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 定位 芯片 及其 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种具有定位槽的硅光芯片,其特征在于,所述硅光芯片的侧壁设有至少一个用于实现光纤与波导耦合且对所述光纤具有定位作用的定位槽;

所述定位作用具体为:在所述硅光芯片所在平面,所述定位槽限制所述光纤的位移;

所述波导的端面与所述定位槽内底端面的距离不超过5μm。

2.根据权利要求1所述的具有定位槽的硅光芯片,其特征在于,俯视所述硅光芯片时,所述定位槽的形状为梯形、类V型、U型或矩形。

3.根据权利要求1所述的具有定位槽的硅光芯片,其特征在于,所述定位槽数量为两个以上时,不同定位槽的形状为相同或不同。

4.根据权利要求1所述的具有定位槽的硅光芯片,其特征在于,所述硅光芯片的波导区域刻蚀有对准标识。

5.根据权利要求4所述的具有定位槽的硅光芯片,其特征在于,所述对准标识为“+”字型、L型、矩形和圆形中的任意一种或多种。

6.一种具有定位槽的硅光芯片的加工方法,其特征在于,所述加工方法的步骤包括:

S1、对硅光晶圆进行背面减薄处理,得到背面厚度合适的第一硅光晶圆;

S2、将所述第一硅光晶圆固定并对准后,采用背切工艺进行激光隐形切割;

S3、在切割后的硅光晶圆背面贴上承载膜,通过扩膜处理得到侧壁具有定位槽的硅光芯片。

7.根据权利要求6所述的具有定位槽的硅光芯片的加工方法,其特征在于,激光隐形切割前,在所述第一硅光晶圆波导区域刻蚀对准标识;在激光隐形切割过程中,根据所述对准标识进行二次对准,以减小累积的切割误差。

8.根据权利要求6所述的具有定位槽的硅光芯片的加工方法,其特征在于,步骤S2中第一硅光晶圆的固定方式具体为:在所述第一硅光晶圆的正面切上带有钢环的UV膜,并正面朝下放在真空吸盘上固定。

9.根据权利要求7所述的具有定位槽的硅光芯片的加工方法,其特征在于,步骤S2中第一硅光晶圆的对准具体为:通过红外摄像设备对所述第一硅光晶圆进行穿透性成像,根据实时的成像数据实现切割前的对准;

在所述红外相机识别到波导区域的对准标识后进行二次对准。

10.根据权利要求6所述的具有定位槽的硅光芯片的加工方法,其特征在于,所述方法还包括:

S4、通过所述定位槽实现硅光芯片中的波导与光纤的耦合;

具体为:将带有所述定位槽的硅光芯片贴装在PCBA基板的上表面,将待耦合光纤固定在玻璃基板的上表面,将相较于所述玻璃基板突出的光纤的端部插入对应的定位槽中实现耦合。

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