[发明专利]半导体封装结构

说明书

本发明公开了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：线路层；位于线路层上方的电子元件；连接在线路层与电子元件之间的大尺寸互连结构和小尺寸互连结构，大尺寸互连结构的截面面积大于小尺寸互连结构的截面面积，大尺寸互连结构包括第一连接件和在横向上围绕第一连接件的第二连接件。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种半导体封装结构。

背景技术

如图1a所示，在诸如后芯片(chip last)结构的半导体封装结构中，芯片10上同时形成大小不同的大尺寸凸块12和小尺寸凸块14。大小不同的大尺寸凸块12和小尺寸凸块14会面临均匀度问题而产生的高度不同和凸块形态。通常，大尺寸凸块12具有较高的高度，这会影响后续接合至基板20时，大尺寸凸块12已接合时而小尺寸凸块14未连接。

若进一步要使小尺寸凸块14接合，如图1b所示，无论使用施加压力挤压焊料25的方式或利用化镀接合小尺寸凸块14的方式，都会使大尺寸凸块12过度挤压或溢镀而造成如图1a和图1b所示的桥接现象29，造成电性性能降低。

发明内容

针对相关技术中的问题，本发明的目的之一在于提供一种半导体封装结构。

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体封装结构，包括线路层，位于线路层上方的电子元件和连接在线路层与电子元件之间的大尺寸互连结构和小尺寸互连结构，大尺寸互连结构的截面面积大于小尺寸互连结构的截面面积，大尺寸互连结构包括第一连接件和在横向上围绕第一连接件的第二连接件。

根据本发明的实施例，第二连接件的外侧侧壁为朝向第一连接件凹进的曲面形状。

根据本发明的实施例，第一连接件的侧壁为凸出的曲面形状。

根据本发明的实施例，小尺寸互连结构的连接件与第二连接件的材料相同。

根据本发明的实施例，小尺寸互连结构的连接件的外侧侧壁为凹进的曲面形状。

根据本发明的实施例，大尺寸互连结构还包括连接在电子元件的下表面的第一上凸块连接件和连接在线路层的上表面的第一下凸块连接件，其中，第一连接件和第二连接件位于第一上凸块连接件和第一下凸块连接件之间。

根据本发明的实施例，大尺寸互连结构还包括第一上阻挡层和第一下阻挡层，第一上阻挡层位于第一连接件和第二连接件与第一上凸块连接件之间，第一下阻挡层位于第一连接件和第二连接件与第一下凸块连接件之间。

根据本发明的实施例，第二连接件的外侧侧壁不超出第一上凸块连接件和第一二凸块连接件的侧壁。

根据本发明的实施例，小尺寸互连结构还包括连接在电子元件的下表面的第二上凸块连接件和连接在线路层的上表面的第二下凸块连接件，其中，小尺寸互连结构的连接件位于第一上凸块连接件和第一下凸块连接件之间。

根据本发明的实施例，小尺寸互连结构还包括第二上阻挡层和第二下阻挡层，第二上阻挡层位于小尺寸互连结构的连接件与第二上凸块连接件之间，第二下阻挡层位于小尺寸互连结构的连接件与第二下凸块连接件之间。

根据本发明的实施例，还包括第三尺寸互连结构，第三互连结构的截面面积小于大尺寸互连结构的截面面积并且大于小尺寸互连结构的截面面积，其中，第三尺寸互连结构的连接件的外侧侧壁具有第一曲面部以及分别连接在第一曲面部的上端与下端的两个第二曲面部，第一曲面部为凹进的曲面形状，第二曲面部为凸出的曲面形状。