[发明专利]一种实施气相沉积法工艺的高速清洁的CVD腔室结构

说明书

本发明属于半导体领域，一种实施气相沉积法工艺的高速清洁的CVD腔室结构，具有下电极、支撑装置，支撑装置位于下电极的上方，支撑装置具有支撑条，支撑条呈方形分布，其特征在于：支撑条的数量为四，所有支撑条均不与其他支撑条接触；支撑条的外侧到CVD腔室的内壁的距离小于支撑条的内侧到CVD腔室的内壁的距离；相邻的两个支撑条相近的端之间构成气流通道。本发明设巧妙、成本低廉、提高了生产效率、提供了新的技术思路。

技术领域

本发明属于半导体领域，具体涉及一种实施气相沉积法工艺的高速清洁的CVD腔室结构。

背景技术

在TFT-LCD(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)制造行业中的阵列PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强型化学气相沉积法)工艺里面包含镀膜子工艺和自清洁子工艺。

每次执行完镀膜子工艺后执行自清洁子工艺，清理腔室底部和下电极的上表面沉积的膜层，然后才能进行下一次镀膜子工艺。

自清洁子工艺：三氟化氮(NF3)气体由上电极通入到工艺腔室内，通过化学反应刻蚀掉腔室底部和下电极上残留的膜层，然后再继续进行镀膜工艺。在实际的自清洁子工艺中，三氟化氮气体与腔室残留膜层反应时，会产生橘黄色辉光。橘黄色辉光消失时，标志着该化学反应的结束，即：自清洁反应结束。此现象可通过工艺腔室的观察窗观察到。

发明人在长期的生产过程中，观察到CVD腔室的四角尤其是下电极的四角的清洁速度很慢，导致传统的自清洁子工艺需要较长的时间执行，才能达成清洁度的要求，执行效率低下，存在改进空间。

发明人还观察到，现有技术采用数量大于四个的分体的支撑条分布在下电极的同一条边之上，支撑条的周围容易产生涡流，涡流导致镀膜气体局部运动速度不均匀，支撑条位于上电极表面上，使得支撑脚周围的上电极表面的沉积厚度很大，清理费非常时，也会导致自清洁子工艺执行效率低，存在改进空间。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提出了一种实施气相沉积法工艺的高速清洁的CVD腔室结构，用于提高自清洁子工艺的执行效率。

一种实施气相沉积法工艺的高速清洁的CVD腔室结构，具有下电极、支撑装置，支撑装置位于下电极的上方，支撑装置具有支撑条，支撑条呈方形分布，独特的设计点在于：支撑条的数量为四，所有支撑条均不与其他支撑条接触；支撑条的外侧到CVD腔室的内壁的距离小于支撑条的内侧到CVD腔室的内壁的距离；相邻的两个支撑条相近的端之间构成气流通道。

进一步的，支撑条的两端的内侧表面为流线型表面或斜面。降低气流通道的涡流，使得气流流动更加顺畅。

进一步的，气流通道为喇叭状。

进一步的，支撑条采用耐高温材料制成。比如但不限于耐高温陶瓷或耐高温金属。

进一步的，支撑条是实心的。

进一步的，支撑条是空心的，且内部空腔内具有支撑结构。降低支撑条的重量。

进一步的，支撑条的外侧到CVD腔室的内壁的距离为零。也就是说支撑条的外侧紧贴CVD腔室的内壁。

进一步的，支撑条表面具有耐磨材料层。

进一步的，支撑条的具有可拆卸连接结构，支撑条的外侧与CVD腔室的内壁之间具有可拆卸连接。

更进一步的，支撑条的具有可拆卸连接结构，为卡接结构，方便更换。

进一步的，支撑条的表面光洁。

进一步的，支撑条的两端为刀刃的刃线状，也就是说支撑条的两端没有设计面积。此处的设计面积是指设计时将面积设计为零即理想状态下面积为零，并非实际产品的两端的真实面积。