[发明专利]一种用于高纯锆、铪中杂质元素的分离测定方法在审
申请号: | 202111219439.X | 申请日: | 2021-10-20 |
公开(公告)号: | CN113916870A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 盛红伍;贺含毅;李洁;罗强;黄辉;巩琛;荀其宁 | 申请(专利权)人: | 中国核动力研究设计院 |
主分类号: | G01N21/73 | 分类号: | G01N21/73 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 梁田 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 高纯 杂质 元素 分离 测定 方法 | ||
本发明公开了一种用于高纯锆、铪中杂质元素的分离测定方法,包括将高纯锆、高纯铪溶解,采用均相沉淀法将溶解液中的锆、铪基体与杂质分离。采用此方法可将溶液中锆、铪基体均相沉淀,基体降至100μg/mL以下,基本消除了基体效应;而溶液中的待测杂质元素在基体沉淀过程中保持浓度不变,从而准确测定核级高纯材料中的待测杂质元素,降低了待测杂质元素的检测限,确保测定的准确性、稳定性,与实验室内及实验室间比对测试结果相符,满足核级材料中待测杂质元素的检测。
技术领域
本发明涉及化学分析技术领域,具体涉及一种用于高纯锆、铪中杂质元素的分离测定方法。
背景技术
铪、锆具有优良的核性能,在原子能工业中均有广泛应用。
核级铪、锆材要求其杂质元素含量极低,介于微量甚至痕量水平。因此,准确分析核级铪、锆材中的杂质元素具有重要意义。
核级铪、锆材中杂质元素的分析中存在基体效应,其光谱的谱线丰富,且会影响待测杂质元素的电离等,对微量杂质元素测定的干扰较为严重。若不进行基体分离而直接采用ICP-AES测定,难以满足实际要求。目前利用检测下限低的ICP-MS、GDMS等先进设备进行测定,但是要同时保证数据的准确性和低检测限,满足核级材料中杂质的微量、痕量、超痕量杂质元素的准确定量分析仍是目前的一个难点。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是对于核级高纯铪、锆材中杂质元素的现有检测方法准确性和通用性的不足,提供了一种分离基体与待测杂质元素的方法,以解决上述问题。
本发明通过下述技术方案实现:
一种用于高纯锆、铪中杂质元素的分离测定方法,包括将高纯锆、高纯铪溶解,采用均相沉淀法将溶解液中的锆、铪基体与杂质分离。
如果使用直接沉淀法沉淀锆、铪会导致局部反应物浓度过高、反应速率不易控制、产物为絮状沉淀等问题,从而导致待测杂质元素包裹、夹杂或共沉淀于沉淀物中。本发明采用均相沉淀法,可获得结构紧密、颗粒较大、便于过滤和洗涤的沉淀物,避免沉淀过程中待测元素的包裹、吸附、共沉淀等问题,使基体与杂质元素成功分离。
进一步地,所述溶解高纯锆、高纯铪的过程为在所述高锆锆、高纯铪中加入硫酸铵、浓硫酸溶解,所述硫酸铵与所述浓硫酸的质量比为1:3。
选择浓硫酸和硫酸铵溶解样品,此溶样法不会引入氟离子,有利于沉淀的生成。
进一步地,所述均相沉淀过程包括:
向溶解有高纯锆、高纯铪的溶液中加入无机酸、均相沉淀剂、双氧水,第一温度加热,第二温度下水浴搅拌,反应结束,静置陈化;
所述第一温度高于所述第二温度。
在酸性环境下加入过氧化氢,且均相沉淀剂也是在酸性环境下加入到体系中,可以促使均相沉淀剂的逐步缓慢水解;均相沉淀剂、锆、铪离子、无机酸和过氧化氢等混合后,若直接进行高温加热,均相沉淀剂分解过快会导致反应不易控制。本发明首先将混合溶液于较高的第一温度下加热,待出现少量晶种后,再在较低的第二温度下水浴搅拌加热,便于控制反应温度,促使均相沉淀剂缓慢水解,并使晶体逐渐长大,有利于基体和待测杂质元素的分离。水浴法控制水解反应速率,可以保证反应温度的均匀性,使沉淀颗粒较大、晶形较好。
进一步地,所述无机酸为浓硫酸、硝酸、高氯酸中的任一种,优选高氯酸;
所述均相沉淀过程中体系的酸度值为1mol/L~3mol/L。
采用强酸环境可以促使均相沉淀剂水解更加充分,有利于避免待测元素的吸附,从而利于提高杂质元素的回收率。
进一步地,所述均相沉淀剂为磷酸三酯,所述均相沉淀剂与所述锆、铪或锆、铪化合物的摩尔比为2:1~3:1。
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