[发明专利]利用膜进行封装物厚度控制的电容器及制造方法在审
| 申请号： | 202111246748.6 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113990661A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 布兰登·萨梅;杰弗里·波尔托拉克;罗伯特·安德鲁·拉姆斯博顿 | 申请（专利权）人： | 凯米特电子公司 |
| 主分类号： | H01G4/228 | 分类号： | H01G4/228;H01G4/005 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;李荣胜 |
| 地址： | 美国南*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 进行 封装 厚度 控制 电容器 制造 方法 | ||
1.一种电容器，包括：
电容性元件，包括：
阳极；
在所述阳极上的电介质；和
在所述电介质上的阴极；
封装物，其至少部分地包封所述电容性元件，其中，所述封装物包括封装树脂和至少一个膜，所述至少一个膜位于所述电容性元件和所述封装物的外表面之间，其中，所述封装树脂封装所述电容性元件并且渗透所述膜。
2.根据权利要求1所述的电容器，还包括与所述阳极电接触的至少一个阳极引线。
3.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述阳极引线是阳极丝。
4.根据权利要求1所述的电容器，还包括在所述封装物的表面上的阳极端子，其中，所述阳极端子与所述阳极电接触。
5.根据权利要求4所述的电容器，其中，所述电接触包括金属化过孔。
6.根据权利要求5所述的电容器，其中，所述金属化过孔延伸穿过阳极引线。
7.根据权利要求6所述的电容器，其中，所述阳极引线是阳极丝。
8.根据权利要求5所述的电容器，其中，所述金属化过孔暴露在所述电容器的表面上。
9.根据权利要求5所述的电容器，还包括与所述膜相对的第二膜，其中，所述金属化过孔延伸进入所述阳极的至少一部分并进入所述封装物的一部分。
10.根据权利要求1所述的电容器，还包括阳极端子和阴极端子中的至少一个。
11.根据权利要求10所述的电容器，其中，所述阳极端子和所述阴极端子中的至少一个通过所述封装物的表面暴露。
12.根据权利要求10所述的电容器，其中，所述阳极端子和所述阴极端子中的至少一个在所述封装物的表面上。
13.根据权利要求12所述的电容器，其中，所述阴极端子与所述阴极电接触。
14.根据权利要求1所述的电容器，包括多个所述电容性元件。
15.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述阴极包括导电聚合物和导电金属氧化物中的至少一个。
16.根据权利要求15所述的电容器，其中，所述导电金属氧化物包括二氧化锰。
17.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述阳极包括阀金属或阀金属的导电氧化物。
18.根据权利要求17所述的电容器，其中，所述阀金属或阀金属氧化物从由以下各项组成的组中选择：Al、W、Ta、Nb、Ti、Zr、Hf及其导电氧化物。
19.根据权利要求1所述的电容器，还包括与所述阴极和所述阳极中的一个电接触的镀层。
20.根据权利要求19所述的电容器，其中，所述镀层为电路迹线。
21.根据权利要求19所述的电容器，其中，所述膜在所述阴极和所述镀层之间。
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