[发明专利]一种单激励源分步动作的激励保护装置在审

专利信息
申请号: 202111252921.3 申请日: 2021-10-27
公开(公告)号: CN113851336A 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 石晓光;段少波;王欣;戈西斌 申请(专利权)人: 西安中熔电气股份有限公司
主分类号: H01H3/24 分类号: H01H3/24;H01H9/10;H01H9/30;H01M50/583
代理公司: 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 代理人: 胡思棉
地址: 710077 陕西省西安市雁塔区高新区锦业路*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 激励 分步 动作 保护装置
【权利要求书】:

1.一种单激励源分步动作的激励保护装置,包括壳体,激励源、冲击装置及导体;其特征在于,在所述壳体中设置有至少两个分别位于不同空腔中的冲击装置,所述冲击装置一侧设置有一个激励源,所述冲击装置及所述激励源分别与其所在空腔为密封接触;所述激励源驱动所述冲击装置同时或先后位移,至少一个所述冲击装置在位移过程中断开所述导体。

2.根据权利要求1所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,在所述导体上并联有至少一个熔体。

3.根据权利要求2所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,至少一个所述冲击装置断开所述导体,至少一个冲击装置断开所述熔体或依次断开所述导体和所述熔体。

4.根据权利要求3所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,所述熔体上设置有熔断薄弱处和断开薄弱处,所述断开薄弱处位于被所述冲击装置断开的部位处。

5.根据权利要求4所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,在熔体断开薄弱处靠近冲击装置的空腔中设置有推块,所述推块与其所在空腔间设置有对推块初始位置进行限定的限位结构。

6.根据权利要求4所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,所述熔断薄弱处位于密闭的填充有灭弧介质的空腔中。

7.根据权利要求1至6任一所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,所述激励源所在的空腔与各所述冲击装置所在的空腔分别连通,当激励源动作时,可驱动所述冲击装置同时或先后动作;或所述激励源所在的空腔与其中一个所述冲击装置所在的空腔连通,各所述冲击装置所在的空腔分别通过流道串联连通,当激励源动作时,可驱动所述冲击装置先后动作。

8.根据权利要求7所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,当各所述冲击装置所在空腔通过流道串联连通时,先动作的冲击装置通过位移打开紧随其后动作的冲击装置所在空腔与其所在空腔连通的流道开口。

9.根据权利要求7所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,其中一所述冲击装置居中设置,其他冲击装置围绕所述居中设置的冲击装置外侧间隔布置。

10.根据权利要求7所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,所述冲击装置围绕激励源所在空腔的外侧布置。

11.根据权利要求9所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,位于居中所述冲击装置外侧的冲击装置均为环状结构,依次间隔套设于居中所述冲击装置的外周。

12.根据权利要求11所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,所述导体对应的所述环状结构位置处分别开设有缺口,当环状结构的所述冲击装置位移断开熔体时,所述导体位于所述缺口内。

13.根据权利要求1所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,在所述冲击装置和所述激励源分别与其所在空腔的接触面间设置有用于密封接触面的密封装置。

14.根据权利要求2所述的单激励源分步动作的激励保护装置,其特征在于,所述壳体还包括设置于其底部的熔体壳体,所述熔体穿设在所述熔体壳体中,其两端穿过所述熔体壳体后与所述导体并联连接;在所述熔体壳体上开设有供所述冲击装置断开所述熔体的空腔。

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