[发明专利]阻抗校准方法及系统在审
申请号: | 202111255408.X | 申请日: | 2021-10-27 |
公开(公告)号: | CN113985134A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 张浩 | 申请(专利权)人: | 上海安路信息科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 200434 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻抗 校准 方法 系统 | ||
本发明提供了一种阻抗校准方法,包括调节第二阻抗调节单元的控制参数,以调节第二阻抗调节单元的阻抗,直至比较器单元输出校准完成信号,将第二阻抗调节单元的控制参数作为第二调节控制参数;之后调节第一阻抗调节单元的控制参数,以调节第一阻抗调节单元的阻抗,直至比较器单元输出校准完成信号,将第一阻抗调节单元的控制参数作为第一调节控制参数,将第一调节控制参数和第二调节控制参数调节高速发射电路,从而使得在对高速发射电路的阻抗校准在校准的过程中,分别以第一电阻单元、第二电阻单元、第三电阻单元作为参考,有效消除了校准过程中累积误差的存在,使得校准后的结果更加准确。本发明还提供了实现阻抗校准方法的阻抗校准系统。
技术领域
本发明涉及阻抗校准技术领域,尤其涉及一种阻抗校准方法及系统。
背景技术
由于高速信号在传输过程中存在反射,高速TX电路输出阻抗必须与外部传输线特征阻抗进行匹配。当传输线特征阻抗为50Ohm时,高速TX电路输出阻抗也需要做到50Ohm附近,以降低反射,提高信号质量。高速TX电路输出阻抗一般由MOSFET和电阻构成,在芯片制作过程中,由于工艺误差的存在,该输出阻抗会发生偏差。MOSFET的阻抗还会受到电源电压的影响,因此,芯片制作完成后由于电源电压和工艺的偏差会使得该输出阻抗会偏离50Ohm,需要校准电路进行对其校准,将其校准到50Ohm附近。
因此,有必要提供一种新型的阻抗校准方法及系统以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阻抗校准方法及系统,有效提高了阻抗校准的精确度。
为实现上述目的,本发明的所述一种阻抗校准方法,用于对高速发射电路进行阻抗校准,所述方法包括:
提供阻抗校准电路,所述阻抗校准电路包括第一阻抗调节单元、第一电阻单元、第一开关单元、第二电阻单元、第三电阻单元、第二阻抗调节单元、第二开关单元、比较器单元和第十三电阻,所述第一阻抗调节单元、所述第一电阻单元、所述第十三电阻的一端和所述比较器单元的负向输入端均与所述第一开关单元连接,所述第十三电阻的另一端接工作电压,所述第二电阻单元、所述第三电阻单元、所述第二阻抗调节单元和所述比较器单元的正向输入端均与所述第二开关单元连接;
调节所述第一开关单元,以使所述第一电阻单元与所述比较器单元的负向输入端连通,调节所述第二开关单元,以使所述第二阻抗调节单元、第三电阻单元与所述比较器单元的正向输入端连通,并使所述第二电阻单元与所述比较器单元的正向输入端断开连接,调节所述第一阻抗调节单元的控制参数,以将所述第一阻抗调节单元的阻抗调节到最小阻抗,调节所述第一电阻单元的电阻和所述第三电阻单元的电阻,以将所述第一电阻单元的电阻和所述第三电阻单元的电阻均调节至最大电阻;
调节所述第二阻抗调节单元的控制参数,以调节所述第二阻抗调节单元的阻抗,直至所述比较器单元输出校准完成信号,将所述第二阻抗调节单元的控制参数作为第二调节控制参数;
调节所述第一开关单元,以使得所述第一阻抗调节单元与所述比较器单元的负向输入端连通,调节所述第二开关单元,以使得所述第二阻抗调节单元、所述第三电阻单元与所述比较器单元的正向输入端断开连接,并使得所述第二电阻单元与所述比较器单元的正向输入端连通,调节所述第二阻抗调节单元的控制参数,以将所述第二阻抗调节单元的阻抗调节至最大阻抗;
调节所述第一阻抗调节单元的控制参数,以调节所述第一阻抗调节单元的阻抗,直至所述比较器单元输出校准完成信号,将所述第一阻抗调节单元的控制参数作为第一调节控制参数;
通过所述第一调节控制参数和所述第二调节控制参数调节所述高速发射电路,以实现对所述高速发射电路的阻抗校准。
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