[发明专利]一种半导体器件短路保护电路及方法

权利要求书

1.一种半导体器件短路保护电路，其特征在于，所述半导体器件短路保护电路包括驱动控制单元、副边处理单元、原边处理单元及短路检测单元，所述驱动控制单元的输出端与所述半导体器件的门极电连接，所述驱动控制单元的输入端与所述副边处理单元电连接，所述原边处理单元与所述副边处理单元电连接，所述短路检测单元的输入端与所述半导体器件的集电极电连接，所述短路检测单元的输出端与所述副边处理单元电连接；

所述短路检测单元用于实时检测半导体器件是否发生短路，并在其短路时发出短路信号至所述副边处理单元；

所述副边处理单元用于根据所述短路信号发出降压信号至所述驱动控制单元，使得所述驱动控制单元为半导体器件提供第一驱动电阻，以降低半导体器件的门极电压，且保持半导体器件的工作状态不变，以及用于将所述短路信号传输至所述原边处理单元；

所述原边处理单元根据短路信号发出关断信号，并通过所述副边处理单元传输至所述驱动控制单元，使得所述驱动控制单元为半导体器件提供第二驱动电阻，以将门极电压下降后的半导体器件关断。

2.根据权利要求1所述的半导体器件短路保护电路，其特征在于，所述原边处理单元及所述副边处理单元之间至少包含一隔离单元。

3.根据权利要求1所述的半导体器件短路保护电路，其特征在于，所述驱动控制单元包括MOS管(Q1)、MOS管(Q2)、MOS管(Q3)、电阻(R1)、电阻(R2)及电阻(R3)，所述MOS管(Q1)的栅极与所述副边处理单元电连接，所述MOS管(Q1)的源极电连接电源(V1)，所述MOS管(Q1)的漏极通过所述电阻(R1)与半导体器件的门极电连接，所述MOS管(Q2)的栅极与所述副边处理单元电连接，所述MOS管(Q2)的源极电连接电源(V2)，所述MOS管(Q2)的漏极通过所述电阻(R2)与半导体器件的门极电连接，所述MOS管(Q3)的栅极与所述副边处理单元电连接，所述MOS管(Q3)的源极电连接电源(V3)，所述MOS管(Q3)的漏极通过所述电阻(R3)与半导体器件的门极电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体器件短路保护电路，其特征在于，所述半导体器件为IGBT或SiC。

5.一种半导体器件短路保护方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、实时检测半导体器件是否发生短路，并在其短路时发出短路信号至副边处理单元；

S2、通过副边处理单元对短路信号进行逻辑处理后发出降压信号，控制为半导体器件提供第一驱动电阻，以降低半导体器件的门极电压，且保持半导体器件的工作状态不变；

S3、通过副边处理单元将短路信号传输至原边处理单元，经原边处理单元对短路信号逻辑处理后发出关断信号至副边处理单元；

S4、根据副边处理单元所传输的关断信号，控制为半导体器件提供第二驱动电阻，以关断所述半导体器件。

6.根据权利要求5所述的半导体器件短路保护方法，其特征在于，所述半导体器件为IGBT或SiC。