[发明专利]一种集成的紫外光电晶体管放大电路结构及其制备方法

权利要求书

1.一种集成的紫外光电晶体管放大电路结构，其特征在于，包括：

N型4H-SiC衬底；依次设置于所述N型4H-SiC衬底上表面的P型4H-SiC缓冲层和N型4H-SiC外延层；

BJT结构和MOSFET结构，分别设置于所述N型4H-SiC外延层上；

体电阻结构，设置于所述BJT结构和所述MOSFET结构之间的所述N型4H-SiC外延层上；

隔离结构，设置于相邻所述BJT结构与所述体电阻结构之间，以及相邻所述体电阻结构与所述MOSFET结构之间；

氧化保护结构，设置于所述BJT结构、所述MOSFET结构和所述体电阻结构上；

互联结构，连接所述BJT结构和所述体电阻结构，以及连接所述体电阻结构和所述MOSFET结构。

2.根据权利要求1所述的集成的紫外光电晶体管放大电路结构，其特征在于，所述体电阻结构包括：

体电阻区，嵌入中间位置的所述N型4H-SiC外延层；

体电阻电极，设置于所述体电阻区两端的上表面。

3.根据权利要求2所述的集成的紫外光电晶体管放大电路结构，其特征在于，所述BJT结构包括：

基区，嵌入所述N型4H-SiC外延层，且靠近器件一端的隔离结构；

发射区，嵌入所述基区；其中，所述发射区上设置有发射电极；

集电区，嵌入所述发射区与所述体电阻区之间的所述N型4H-SiC外延层；其中，所述集电区上设置于有集电极。

4.根据权利要求3所述的集成的紫外光电晶体管放大电路结构，其特征在于，所述MOSFET结构包括：

P阱区，嵌入所述N型4H-SiC外延层；

源区，嵌入所述P阱区内；其中，所述源区上设置有源电极；

漏区，嵌入所述N型4H-SiC外延层，且靠近器件另一端的隔离结构；其中，所述漏区上设置有漏电极；

栅电极，设置于所述源电极和所述漏电极之间。

5.根据权利要求1所述的集成的紫外光电晶体管放大电路结构，其特征在于，所述隔离结构包括：

嵌入所述N型4H-SiC外延层的隔离槽；以及

所述隔离槽底部和侧壁设置有第一氧化层；

所述隔离槽内的第一氧化层上和所述隔离槽两边器件的表面设置有第一保护层。

6.根据权利要求4所述的集成的紫外光电晶体管放大电路结构，其特征在于，所述氧化保护结构包括第二氧化层和第二保护层，其中，

在所述BJT结构上，相邻所述发射电极和所述集电极之间的表面上设置有所述第二氧化层；在所述第二氧化层上设置有所述第二保护层；

在所述MOSFET结构上，相邻所述源电极和所述漏电极之间的表面上设置有所述第二氧化层；在所述第二氧化层上设置有所述栅电极和所述第二保护层；在所述源电极上设置有所述第二保护层；

在所述体电阻结构上，相邻所述体电阻电极之间设置有所述第二氧化层，在所述第二氧化层上设置有所述第二保护层。

7.根据权利要求4所述的集成的紫外光电晶体管放大电路结构，其特征在于，所述互联结构为互联金属，所述互联金属分别连接所述BJT结构中的集电极和所述体电阻结构中一端的体电阻电极，以及分别连接所述体电阻结构中另一端的体电阻电极和所述MOSFET结构中的栅电极。

8.根据权利要求1所述的集成的紫外光电晶体管放大电路结构，其特征在于，所述集成的紫外光电晶体管放大电路结构用于实现紫外光信号到电压信号的转换，并对转换后的电压信号进行放大处理，其中，

所述BJT结构，用于生成紫外光信号；

所述体电阻结构，用于将所述紫外光信号转换为电压信号；

所述MOSFET结构，用于对所述电压信号进行放大处理。